Аналіз порошку діоксиду телуру високої чистоти (TeO2) Мін. 99,9%
| Діоксид телуру |
| CAS № 7446-7-0 |
| Діоксид телуру (сполука) – це різновид оксиду телуру. Його хімічна формула – сполука TeO2. Його кристали належать до квадратного ряду. Молекулярна маса: 159,61; білий порошок або брикети. |
Про діоксид телуру
Основним продуктом горіння телуру на повітрі є діоксид телуру. Діоксид телуру майже не розчиняється у воді, але повністю розчиняється в концентрованій сірчаній кислоті. Діоксид телуру нестійкий до сильної кислоти та сильного окислювача. Оскільки діоксид телуру є амфотерною речовиною, він може реагувати з кислотою або лугом у розчині.
Оскільки діоксид телуру має дуже високу ймовірність спричинити деформацію та є отруйним, при потраплянні в організм він може виробляти запах (запах телуру), схожий на запах часнику, що виділяється з дихання. Цей вид речовини являє собою диметилтелур, що утворюється в результаті метаболізму діоксиду телуру.
Специфікація підприємства для порошку діоксиду телуру
| Символ | Хімічний компонент | ||||||||
| TeO2≥(%) | Західні речовини ≤ ppm | ||||||||
| Cu | Mg | Al | Pb | Ca | Se | Ni | Mg | ||
| UMTD5N | 99,999 | 2 | 5 | 5 | 10 | 10 | 2 | 5 | 5 |
| UMTD4N | 99,99 | 2 | 5 | 5 | 10 | 10 | 5 | 5 | 8 |
Упаковка: 1 кг/пляшка або 25 кг/вакуумний пакет з алюмінієвої фольги
Для чого використовується порошок діоксиду телуру?
Діоксид телуру (TeO₂)Порошок – це високоефективна неорганічна сполука, відома своїми унікальними оптоелектронними, тепловими та структурними властивостями. Його універсальність охоплює передові технологічні сектори, наукові дослідження та промислове виробництво, зокрема:
1. Акустооптичні матеріали
- Служить основним компонентом у монокристалах парателуриту (α-TeO₂), що забезпечує надшвидку модуляцію світла для:
✓ Керування лазерним променем та зміна частоти
✓ Оптичні системи зв'язку (фільтри DWDM, Q-перемикачі)
✓ Ультразвукова візуалізація та голографія в реальному часі
- Демонструє винятковий акустооптичний показник добротності (M₂) для пристроїв з високою роздільною здатністю, що працюють у спектрах від видимого до середнього ІЧ-діапазону.
2. Передові скляні системи
- Виконує функції умовного склоутворювача у спеціальних оптичних скломатеріалах:
✓ Телуритові стекла з низькою фононною енергією для волоконних підсилювачів (леговані Er³+/Pr³+) у телекомунікаціях
✓ Окуляри з високим показником заломлення для інфрачервоних лінз та оптики нічного бачення
✓ Радіаційно-чутливе скло для дозиметричних та сцинтиляційних матеріалів
3. Напівпровідникова технологія
- Критичний попередник для напівпровідникових сполук II-VI групи:
✓ Вирощування кристалів CdTe/CdZnTe для рентгенівських/γ-детекторів та сонячних елементів
✓ Синтез квантових точок на основі HgTe для настроюваних ІЧ-фотодетекторів
✓ Інтеграція в дослідження топологічних ізоляторів (наприклад, гетероструктури Bi₂Te₃/TeO₂)
4. Системи перетворення енергії
- Забезпечує високоефективну роботу термоелектричних пристроїв:
✓ Композити на основі телуриду вісмуту (Bi₂Te₃) для охолоджувачів Пельтьє в мікроелектроніці
✓ Модулі рекуперації відхідного тепла (ZT >1.2 при 300-500K)
✓ Кріогенні термопари для обладнання для дослідження космосу
5. П'єзоелектричні та піроелектричні пристрої
- Легуючі домішки в нелінійних оптичних кристалах (наприклад, системи TeO₂-Li₂O):
✓ Датчики поверхневих акустичних хвиль (SAW) для виявлення газу
✓ ІЧ-піроелектричні детектори зі швидкою реакцією (<10 мс)
✓ Стабілізовані за частотою генератори в базових станціях 5G/6G
6. Нові застосування
- Квантовий синтез матеріалів:
✓ Шаблон для двовимірних нанолистів теллурену в спінтронних пристроях
✓ Флюсуючий агент у вирощуванні кристалів високотемпературного надпровідника
- Хімічне осадження з парової фази (ХОФ):
✓ Тонкоплівкові покриття TeO₂ для електрохромних розумних вікон
✓ Діелектричні шари резистивної оперативної пам'яті (ReRAM)
- Ядерні технології:
✓ Композити для нейтронного екранування (скла TeO₂-PbO-B₂O₃)
✓ Сцинтиляційні матриці для детектування нейтрино
Ключові переваги:
- Широкий діапазон оптичного пропускання (0,35–5 мкм)
- Висока хімічна стабільність у кислих/окислювальних середовищах
- Настроювана ширина забороненої зони (3,7–4,2 еВ) для спеціально розробленої оптоелектроніки
Примітка: Потрібне контрольоване поводження через помірну токсичність у порошкоподібній формі. Застосування часто використовує його амфотерну природу та подвійні ступені окислення (Te⁴+/Te⁶+).
Цей багатофункціональний матеріал продовжує сприяти проривам у фотоніці, відновлюваній енергетиці та квантових технологіях, а дослідження його ролі в нейроморфних обчисленнях та терагерцових хвилеводах тривають.
