Анализ на прах от телуров диоксид с висока чистота (TeO2) Мин. 99,9%
| Телуров диоксид |
| CAS № 7446-7-0 |
| Телуровият диоксид (съединение) е вид оксид на телура. Химичната му формула е съединението на TeO2. Кристалите му принадлежат към квадратна кристална серия. Молекулно тегло: 159,61; бял прах или блокове. |
Относно телуровия диоксид
Основният продукт, получен при изгарянето на телур във въздуха, е телуров диоксид. Телуровият диоксид едва се разтваря във вода, но може да се разтвори напълно в концентрирана сярна киселина. Телуровият диоксид показва нестабилност със силни киселини и мощни окислители. Тъй като телуровият диоксид е амфотерно вещество, той може да реагира с киселини или основи в разтвора.
Тъй като телуровият диоксид има много голяма вероятност да причини деформация и е отровен, когато се абсорбира в тялото, той може да произведе миризма (миризма на телур), подобна на миризмата на чесън в дъха. Този вид вещество е диметил телур, генериран от метаболизма на телуровия диоксид.
Спецификация на предприятието за прах от телуриев диоксид
| Символ | Химичен компонент | ||||||||
| TeO2≥(%) | Чужди материали ≤ ppm | ||||||||
| Cu | Mg | Al | Pb | Ca | Se | Ni | Mg | ||
| UMTD5N | 99.999 | 2 | 5 | 5 | 10 | 10 | 2 | 5 | 5 |
| UMTD4N | 99,99 | 2 | 5 | 5 | 10 | 10 | 5 | 5 | 8 |
Опаковка: 1 кг/бутилка или 25 кг/вакуумна торбичка от алуминиево фолио
За какво се използва прах от телуриев диоксид?
Телуров диоксид (TeO₂)Прахът е високоефективно неорганично съединение, известно със своите уникални оптоелектронни, термични и структурни свойства. Неговата гъвкавост обхваща сектори на напредналите технологии, научни изследвания и промишлено производство, с критични приложения, включително:
1. Акустооптични материали
- Служи като основен компонент в монокристалите на парателурита (α-TeO₂), което позволява ултрабърза модулация на светлината за:
✓ Насочване на лазерния лъч и промяна на честотата
✓ Оптични комуникационни системи (DWDM филтри, Q-превключватели)
✓ Ултразвуково изобразяване и холография в реално време
- Показва изключителна акустооптична стойност (M₂) за устройства с висока резолюция, работещи във видимия до средния инфрачервен спектър.
2. Усъвършенствани стъклени системи
- Функционира като условен стъклообразувател в специални оптични стъкла:
✓ Нискофононни телуритни стъкла за оптични усилватели (легирани с Er³+/Pr³+) в телекомуникациите
✓ Очила с висок коефициент на пречупване за инфрачервени лещи и оптика за нощно виждане
✓ Радиационно-чувствително стъкло за дозиметрични и сцинтилационни материали
3. Полупроводникова технология
- Критичен прекурсор за полупроводникови съединения II-VI:
✓ Растеж на кристали CdTe/CdZnTe за рентгенови/γ-лъчеви детектори и слънчеви клетки
✓ Синтез на квантови точки на базата на HgTe за настройваеми инфрачервени фотодетектори
✓ Интегриране в изследвания на топологични изолатори (напр. хетероструктури Bi₂Te₃/TeO₂)
4. Системи за преобразуване на енергия
- Позволява високоефективни термоелектрически устройства:
✓ Композити от бисмут телурид (Bi₂Te₃) за охладители на Пелтие в микроелектрониката
✓ Модули за оползотворяване на отпадна топлина (ZT >1.2 при 300-500K)
✓ Криогенни термодвойки за оборудване за космически изследвания
5. Пиезоелектрични и пироелектрични устройства
- Допант в нелинейни оптични кристали (напр. TeO₂-Li₂O системи):
✓ Сензори за повърхностни акустични вълни (SAW) за откриване на газ
✓ Инфрачервени пироелектрически детектори с бърза реакция (<10ms)
✓ Честотно стабилизирани осцилатори в 5G/6G базови станции
6. Нововъзникващи приложения
- Квантов синтез на материали:
✓ Шаблон за 2D телуренови нанолистове в спинтронни устройства
✓ Флюс при растеж на кристали с висока температура на свръхпроводник
- Химично отлагане на пари (CVD):
✓ Тънкослойни TeO₂ покрития за електрохромни интелигентни прозорци
✓ Диелектрични слоеве от резистивна RAM памет (ReRAM)
- Ядрена технология:
✓ Композитни материали за неутронна екранировка (TeO₂-PbO-B₂O₃ стъкла)
✓ Сцинтилаторни матрици за детекция на неутрино
Основни предимства:
- Широк диапазон на оптично предаване (0,35–5 µm)
- Висока химическа стабилност в киселинни/оксидативни среди
- Регулируема забранена зона (3.7–4.2 eV) за персонализирана оптоелектроника
Забележка: Изисква контролирано боравене поради умерена токсичност в прахообразна форма. Приложенията често използват амфотерния му характер и двойните окислителни състояния (Te⁴+/Te⁶+).
Този многофункционален материал продължава да дава възможност за пробиви във фотониката, устойчивата енергия и квантовите технологии, като продължават изследванията, изследващи ролята му в невроморфните изчисления и терагерцовите вълноводи.
