הויך ריינקייט טעלוריום דייאַקסייד פּודער (TeO2) אַסיי מינ.99.9%
| טעללוריום דייאַקסייד |
| קאַס נומ. 7446-7-３ |
| טעללוריום דיאקסייד (פארבינדונג) איז א סארט אקסייד פון טעללוריום. איר כעמישע פארמולע איז די פארבינדונג פון TeO2. איר קריסטאל געהערט צו דער קוואדראטישער קריסטאל סעריע. מאלעקולארער וואָג: 159.61; ווייסער פּודער אדער בלאָקן. |
וועגן טעללוריום דייאַקסייד
דער הויפּט רעזולטאַט פון טעלוריום ברענען אין דער לופט איז טעלוריום דיאַקסייד. טעלוריום דיאַקסייד קען קוים אויפלעזן זיך אין וואַסער אָבער קען זיך גאָר אויפלעזן אין קאָנצענטרירטער שוועבל זויער. טעלוריום דיאַקסייד ווײַזט זיך נישט אינסטאַביל מיט שטאַרקע זויערן און שטאַרקע אָקסידאַנטן. ווײַל טעלוריום דיאַקסייד איז אַמפאָטערישע מאַטעריע, קען עס רעאַגירן צו זויער אָדער אַלקאַליין אין דער לייזונג.
ווייל טעלוריום דיאקסייד האט א גאר הויכע מעגלעכקייט צו פארשאפן דעפארמאציע און איז גיפטיג, ווען עס ווערט אבסארבירט אין קערפער, קען עס שאפן א שמעק (טעלוריום שמעק) ענליך צום שמעק פון קנאבל אין אטעם. די סארט מאטעריע איז דימעטהיל טעלוריום וואס ווערט געשאפן דורך דעם מעטאבאליזם פון טעלוריום דיאקסייד.
ענטערפּרייז ספּעסיפיקאַציע פֿאַר טעללוריום דייאַקסייד פּודער
| סימבאָל | כעמישע קאָמפּאָנענט | ||||||||
| TeO2≥(%) | פרעמדע מאַטעריאַל ≤ ppm | ||||||||
| Cu | Mg | Al | Pb | Ca | Se | Ni | Mg | ||
| UMTD5N | 99.999 | 2 | 5 | 5 | 10 | 10 | 2 | 5 | 5 |
| UMTD4N | 99.99 | 2 | 5 | 5 | 10 | 10 | 5 | 5 | 8 |
פּאַקאַדזשינג: 1 קג/פלאַש, אָדער 25 קג/וואַקוום אַלומינום שטער זעקל
וואָס ווערט טעללוריום דייאַקסייד פּודער געניצט פֿאַר?
טעללוריום דייאַקסייד (TeO₂)פּודער איז אַ הויך-פאָרשטעלונג ינאָרגאַניק קאַמפּאַונד באַרימט פֿאַר זייַן יינציק אָפּטאָעלעקטראָניק, טערמישע און סטרוקטורעל אייגנשאַפטן. זייַן ווערסאַטילאַטי ספּענדז אַוואַנסירטע טעכנאָלאָגיע סעקטאָרן, וויסנשאַפֿטלעכע פאָרשונג און ינדאַסטריאַל מאַנופאַקטורינג, מיט קריטיש אַפּליקאַציעס אַרייַנגערעכנט:
1. אַקוסטאָ-אָפּטישע מאַטעריאַלן
- דינט ווי דער הויפּט קאָמפּאָנענט אין פּאַראַטעלוריט איינציקע קריסטאַלן (α-TeO₂), וואָס ערמעגליכט אולטראַ-שנעלע ליכט מאָדולאַציע פֿאַר:
✓ לאַזער שטראַל סטירינג און אָפטקייט שיפטינג
✓ אָפּטישע קאָמוניקאַציע סיסטעמען (DWDM פילטערס, Q-סוויטשעס)
✓ אולטראַסאָניק בילדגעבונג און רעאַל-צייט האָלאָגראַפֿיע
- ווײַזט אויף אויסערגעוויינטלעכע אַקוסטאָ-אָפּטישע מעלות (M₂) פֿאַר הויך-רעזאָלוציע דעוויסעס וואָס אַרבעטן אין זעבארע ביז מיטל-IR ספּעקטראַ.
2. אַוואַנסירטע גלאָז סיסטעמען
- פונקציאָנירט ווי אַ קאָנדישאַנעל גלאז פאָרמער אין ספּעציאַליטעט אָפּטישע ברילן:
✓ נידעריק-פאָנאָן-ענערגיע טעלוריט ברילן פֿאַר פֿאַזער אַמפּליפייערז (Er³+/Pr³+-דאָפּט) אין טעלעקאָמוניקאַציע
✓ הויך-רעפראַקטיוו-אינדעקס ברילן פֿאַר אינפֿראַרויט לענסעס און נאַכט זעאונג אָפּטיק
✓ שטראַלונג-סענסיטיוו גלאז פֿאַר דאָסימעטריע און סינטילאַציע מאַטעריאַלן
3. האַלב-קאָנדוקטאָר טעכנאָלאָגיע
- קריטישער פאָרגייער פֿאַר II-VI קאַמפּאַונד האַלב-קאָנדוקטאָרן:
✓ CdTe/CdZnTe קריסטאַל וווּקס פֿאַר X-שטראַל/γ-שטראַל דעטעקטאָרן און זונ - צעלן
✓ HgTe-באזירט קוואַנטום פּונקט סינטעז פֿאַר טונאַבאַל IR פאָטאָדעטעקטאָרן
✓ אינטעגראַציע אין טאָפּאָלאָגישע איזאָלאַטאָר פאָרשונג (למשל, Bi₂Te₃/TeO₂ העטעראָסטרוקטורן)
4. ענערגיע קאנווערזשאַן סיסטעמען
- ערמעגליכט הויך-עפעקטיווקייט טערמאעלעקטרישע דעוויסעס:
✓ ביסמוט טעללוריד (Bi₂Te₃) קאָמפּאָזיטן פֿאַר פּעלטיער קולערס אין מיקראָעלעקטראָניק
✓ אָפּפאַל היץ אָפּזוך מאָדולן (ZT >1.2 ביי 300-500K)
✓ קריאָגענישע טערמאָקאָפּלס פֿאַר פּלאַץ עקספּלאָראַציע עקוויפּמענט
5. פּיעזאָעלעקטרישע און פּיראָעלעקטרישע דעוויסעס
- דאָפּאַנט אין נישט-לינעאַרע אָפּטישע קריסטאַלן (למשל, TeO₂-Li₂O סיסטעמען):
✓ אויבערפלאַך אַקוסטישע כוואַליע (SAW) סענסאָרן פֿאַר גאַז דעטעקציע
✓ IR פּיראָעלעקטרישע דעטעקטאָרן מיט שנעלער רעאַקציע (<10ms)
✓ פרעקווענץ-סטאַביליזירטע אָסילאַטאָרן אין 5G/6G באַזע סטאַנציעס
6. אויפקומענדיקע אַפּליקאַציעס
- קוואַנטום מאַטעריאַל סינטעז:
✓ מוסטער פֿאַר 2D טעללורענע נאַנאָשיכטן אין ספּינטראָניק דעוויסעס
✓ פלאַקס אַגענט אין הויך-Tc סופּערקאָנדוקטאָר קריסטאַל וווּקס
- כעמישע פארע דעפאזיציע (CVD):
✓ דין-פילם TeO₂ קאָוטינגז פֿאַר עלעקטראָכראָמישע קלוגע פֿענצטער
✓ רעזיסטיוו ראַם (רעראַם) דיעלעקטרישע שיכטן
- נוקלעארע טעכנאָלאָגיע:
✓ נעיטראָן שילדינג קאָמפּאָזיטן (TeO₂-PbO-B₂O₃ גלעזער)
✓ סינטילאַטאָר מאַטריצעס פֿאַר נעיטרינאָ דעטעקציע
שליסל מעלות:
- ברייטע אָפּטישע טראַנסמיסיע קייט (0.35–5 מיקראָמעטער)
- הויכע כעמישע פעסטקייט אין זויערע/אקסידאטיווע סביבות
- צושטעלבארע באַנדגאַפּ (3.7–4.2 eV) פֿאַר פּאַסיקע אָפּטאָעלעקטראָניק
באַמערקונג: פארלאנגט קאָנטראָלירטע האַנדלינג צוליב מיטלמעסיגע טאַקסיסיטי אין פּודער פאָרעם. אַפּליקאַציעס נוצן אָפט זיין אַמפאָטערישע נאַטור און צווייפאַכע אַקסאַדיישאַן שטאַטן (Te⁴+/Te⁶+).
דאס מולטיפונקציאָנעלע מאַטעריאַל פאָרזעצט צו דערמעגלעכן דורכברוכן אין פאָטאָניקס, סאַסטיינאַבאַל ענערגיע און קוואַנטום טעקנאַלאַדזשיז, מיט אָנגייענדיקע פאָרשונג וואָס אויספאָרשט זיין ראָלע אין נעוראָמאָרפֿיש קאַמפּיוטינג און טעראַהערץ כוואַליע פירער.
