Санҷиши сӯзанаки металлии индиумии тозагии баланд ҳадди ақал 99.9999%
| Метали индиум |
| Рамзи элемент=Дар |
| Рақами атомӣ = 49 |
| ● Нуқтаи ҷӯшиш = 2080℃ ● Нуқтаи обшавӣ = 156.6℃ |
Дар бораи металли Индий
Миқдори мавҷудаи он дар қишри замин 0.05 ppm аст ва он аз сулфиди руҳ ҳосил мешавад; аз хокистар дар металлургияи руҳ ҷудо карда, моеъи иони индий (3 аз +)-ро ба даст меорад ва онро тавассути электролиз моддаи хеле холис мегардонад. Он ҳамчун кристалли сафеди нуқрагин пайдо мешавад. Он нарм аст ва ба системаи кристаллии чоркунҷа тааллуқ дорад. Он дар ҳаво устувор аст ва пас аз гарм кардан In2O3 ҳосил мекунад. Дар ҳарорати хонагӣ он метавонад бо фтор ва хлорид реаксия кунад. Он метавонад дар кислота ҳал шавад, аммо дар об ё маҳлули ишқорӣ не.
Мушаххасоти инготи индиумии дараҷаи баланд
| Рақами мол, | Компоненти кимиёвӣ | |||||||||||||||
| Дар ≥(%) | Матои хориҷӣ ≤ppm | |||||||||||||||
| Cu | Pb | Zn | Cd | Fe | Tl | Sn | As | Al | Mg | Si | S | Ag | Ni | Ҷамъ | ||
| UMIG6N | 99.9999 | 1 | 1 | - | 0.5 | 1 | - | 3 | - | - | 1 | 1 | 1 | - | - | - |
| UMIG5N | 99.999 | 4 | 10 | 5 | 5 | 5 | 10 | 15 | 5 | 5 | 5 | 10 | 10 | 5 | 5 | - |
| UMIG4N | 99.993 | 5 | 10 | 15 | 15 | 7 | 10 | 15 | 5 | 5 | - | - | - | - | - | 70 |
| UMIG3N | 99.97 | 10 | 50 | 30 | 40 | 10 | 10 | 20 | 10 | 10 | - | - | - | - | - | 300 |
Бастабандӣ: 500±50г/сахта, бо халтаи файлии полиэтиленӣ печонида шудааст, дар қуттии чӯбӣ ҷойгир карда шудааст,
Резаи индиум барои чӣ истифода мешавад?
Резаи индиум (дар)- Барномаҳо ва истифодаҳо
Резаи индиумии мо як металли бисёрҷониба, нарм ва хеле чандир пас аз гузариш бо хосиятҳои истисноӣ, аз ҷумла гузаронандагии аълои барқ, часпиши қавӣ ба зерқисматҳои гуногун ва нуқтаи обшавии паст мебошад. Ин хусусиятҳо онро дар технологияи муосир, аз электроникаи ҳаррӯзаи истеъмолӣ то системаҳои пешрафтаи энергетикӣ ва тадқиқотӣ, ба маводи муҳим табдил медиҳанд. Резаи индиумии мо бо тозагии баланд ҳамчун ашёи хоми асосӣ барои доираи васеи барномаҳои муосир хизмат мекунад.
Барномаҳо ва соҳаҳои асосӣ:
1. Электроника ва дисплейҳо (Барномаи асосӣ)
Бузургтарин истифода барои индий дар шакли оксиди қалъагии индий (ITO), оксиди шаффофи ноқилӣ мебошад.
* Плёнкаҳои ноқили шаффоф: Индий, ки аз ҳадафҳои ITO пошида мешавад, барои эҷоди қабатҳои ноқили шаффоф дар:
* Дисплейҳои ҳамвор: LCD, OLED ва экранҳои сенсорӣ барои смартфонҳо, планшетҳо, телевизорҳо ва мониторҳо.
* Фотоэлектрикӣ: Батареяҳои офтобии плёнкаи тунук (масалан, CIGS), ки дар он онҳо ҳамчун электроди шаффоф хизмат мекунанд ва имкон медиҳанд, ки нур ба қабати фаъол расад.
* Тирезаҳои каммасрафи энергия: Дар тирезаҳои интеллектуалӣ истифода мешаванд, ки метавонанд интиқоли гармӣ ва рӯшноиро ба таври динамикӣ идора кунанд.
2. Кафшер ва хӯлакунӣ
Нуқтаи пасти обшавии Индий ва қобилияти тар кардани бисёр сатҳҳо онро дар пайвасткунӣ ва рӯйпӯшкунӣ бебаҳо мегардонад.
* Кафшерҳои махсусгардонидашуда: Кафшерҳои дар асоси индий буда пайвандҳои боэътимод ва ҳарорати пастро дар ҷузъҳои ба ҳарорат ҳассос эҷод мекунанд, ки барои:
* Васлкунии электронӣ: Хусусан дар равандҳои кафшери зина ба зина ва барои бастабандии дастгоҳҳои ҳассос.
* Идоракунии гармӣ: Пайваст кардани гармкунакҳо ба чипҳои нозук дар ҳисоббарории баландсифат.
* Рӯйпӯшҳои муҳофизатӣ: Ҳамчун рӯйпӯши тунук дар подшипникҳо ва дигар сатҳҳои ҳаракаткунанда барои таъмини равғани аъло, кам кардани соиш ва баланд бардоштани муқовимати зангзанӣ истифода мешавад.
* Хӯлаҳои дандонпизишкӣ: Бо дигар металлҳо хӯла карда шудаанд, то амальгамҳо ва барқароркуниҳои дандонпизишкии қавӣ, пойдор ва биологӣ мувофиқро эҷод кунанд.
3. Нимноқилҳо ва таҳқиқоти пешрафта
Хусусиятҳои ултра-тозагии индий дар соҳаҳои пешрафтаи технологӣ истифода мешаванд.
* Нимноқилҳои мураккаб: Ҳамчун унсури калидии Гурӯҳи III, он дар эпитаксияи фазаи буғи металлорганикӣ (MOVPE) барои парвариши нимноқилҳои баландсифат ба монанди фосфиди индий (InP) ва арсениди галлий индий (InGaAs) истифода мешавад. Инҳо барои:
* Транзисторҳои басомади баланд
* Оптоэлектроника: Лазерҳо ва фотодетекторҳо барои алоқаи нахӣ-оптикӣ.
* Таҳқиқот ва рушд: Ҳамчун маводи пешгузашта дар лабораторияҳои академӣ ва саноатӣ барои таҳияи дастгоҳҳои нави нимноқилӣ ва наноматериалҳо хизмат мекунад.
4. Технологияи ҳастаӣ
* Милҳои идоракунӣ: Индий, ки бо нуқра ва кадмий (хӯлаи Ag-In-Cd) омехта шудааст, ҷузъи калидӣ дар милҳои идоракунии реактори ҳастаӣ мебошад, ки дар он буриши баланди нейтронҳои он ба танзими дақиқи реаксияи тақсимшавии ҳастаӣ мусоидат мекунад.
---
Хусусиятҳо ва бартариҳои асосӣ:
* Покии баланд: Иҷрои беҳтаринро дар барномаҳои муҳим ба монанди истеҳсоли нимноқилҳо ва пошидани ITO таъмин мекунад.
* Чандирии истисноӣ: Ба осонӣ печонида, экструзия карда ва ба шаклҳои гуногун, аз ҷумла сим ва фолга, табдил дода мешавад.
* Тарӣ ва часпиши аъло: Бо шиша, металлҳо ва керамика пайвандҳои мустаҳкам ба вуҷуд меорад, ки онро барои кафшер ва пӯшиш беҳтарин мегардонад.
* Фаъолкунандаи муҳим: Маводи муҳим барои технологияҳои сершумори босуръат рушдёбанда дар бахшҳои намоиш, энергетика ва телекоммуникатсия.
Раддия: Маълумоти пешниҳодшуда барои мақсадҳои тавсифӣ мебошад. Истифодабарандагон барои тасдиқи мувофиқати резаҳои Indium барои истифодаи мушаххаси худ ва риояи ҳама қоидаҳои дахлдори саломатӣ, бехатарӣ ва экологӣ ҳангоми коркард ва истифодаи он масъуланд.
