Indiummetallbarren vun héijer Rengheet Min.99.9999%
| Indiummetall |
| Elementsymbol=An |
| Atomzuel=49 |
| ● Kachpunkt = 2080 ℃ ● Schmelzpunkt = 156,6 ℃ |
Iwwer Indiummetall
Déi existent Quantitéit an der Äerdkuuscht ass 0,05 ppm a gëtt aus Zinksulfid generéiert; getrennt vun der Äsche bei der Zinkmetallurgie kritt een d'flësseg Indium-Ion (3 vun +) a mécht duerch Elektrolyse eng héich reng Eenzelmaterial. Et entsteet als sëlwerwäisse Kristall. Et ass mëll a gehéiert zum Quadratkristallsystem. Et ass stabil an der Loft a generéiert In2O3 no Erhëtzung. Bei Raumtemperatur kann et mat Fluor a Chlorid reagéieren. Et kann a Säure léisen, awer net a Waasser oder alkalischer Léisung.
Spezifikatioun vun héichwäertegem Indium-Barren
| Artikel Nr., | Chemesch Komponent | |||||||||||||||
| An ≥(%) | Auslännesch Mat.≤ppm | |||||||||||||||
| Cu | Pb | Zn | Cd | Fe | Tl | Sn | As | Al | Mg | Si | S | Ag | Ni | Total | ||
| UMIG6N | 99.9999 | 1 | 1 | - | 0,5 | 1 | - | 3 | - | - | 1 | 1 | 1 | - | - | - |
| UMIG5N | 99.999 | 4 | 10 | 5 | 5 | 5 | 10 | 15 | 5 | 5 | 5 | 10 | 10 | 5 | 5 | - |
| UMIG4N | 99.993 | 5 | 10 | 15 | 15 | 7 | 10 | 15 | 5 | 5 | - | - | - | - | - | 70 |
| UMIG3N | 99,97 | 10 | 50 | 30 | 40 | 10 | 10 | 20 | 10 | 10 | - | - | - | - | - | 300 |
Verpackung: 500±50g/Barr, agekapselt mat engem Polyethylen-Archivbeutel, an enger Holzkëscht geluecht,
Fir wat gëtt Indium-Barre benotzt?
Indiumbarren (In)- Uwendungen an Notzungen
Indium-Barre ass e villseitege, mëllen an héich formbare Post-Iwwergangsmetall mat aussergewéinleche Eegeschaften, dorënner exzellent elektresch Leetfäegkeet, staark Haftung op verschidde Substrater an engem niddrege Schmelzpunkt. Dës Charakteristike maachen et zu engem kritesche Material an der moderner Technologie, vun der alldeeglecher Konsumentelektronik bis hin zu fortgeschrattenen Energie- a Fuerschungssystemer. Eis héichrein Indium-Barre déngt als Grondlag fir eng breet Palette vun innovativen Uwendungen.
Haaptapplikatiounen an Industrien:
1. Elektronik & Displays (Haaptapplikatioun)
Déi gréisst Uwendung vun Indium ass a Form vun Indium-Zinn-Oxid (ITO), engem transparenten, leitfäegen Oxid.
* Transparent leetfäeg Filmer: Aus ITO-Ziler gesputtert, ass Indium essentiell fir d'Schafung vun den transparenten leetfäege Schichten an:
* Flat Panel Displays: LCDs, OLEDs an Touchscreens fir Smartphones, Tablets, Fernseher a Monitore.
* Photovoltaik: Dënnschicht-Solarzellen (wéi CIGS), wou se als transparent Elektrod déngen, déi et Liicht erlaabt, déi aktiv Schicht z'erreechen.
* Energieeffizient Fënsteren: Ginn a Smart-Fënsteren benotzt, déi d'Hëtzt- a Liichttransmissioun dynamesch kontrolléiere kënnen.
2. Läten & Legieren
Den niddrege Schmelzpunkt vun Indium a seng Fäegkeet, vill Flächen ze naass ze maachen, maachen et onschätzbar wäertvoll fir d'Verbindung an d'Beschichtungsapplikatiounen.
* Spezialiséiert Läitmëttel: Läitmëttel op Indiumbasis kreéieren zouverlässeg, niddregtemperatur Bindungen an thermesch empfindleche Komponenten, entscheedend fir:
* Elektronikmontage: Besonnesch a Schrëtt-fir-Schrëtt-Lötprozesser a fir d'Verpakung vu sensiblen Apparater.
* Thermal Management: Hëtzekippen un delikat Chips am High-Performance Computing uschléissen.
* Schutzbeschichtungen: Ginn als Dënnschichtbeschichtung op Lager an aner bewegend Flächen benotzt fir eng iwwerleeën Schmierung ze bidden, d'Reibung ze reduzéieren an d'Korrosiounsbeständegkeet ze verbesseren.
* Zännlegierungen: Legéiert mat anere Metaller fir staark, haltbar a biokompatibel Zännamalgame a Restauratiounen ze kreéieren.
3. Hallefleiter & Fortgeschratt Fuerschung
Déi ultra-héichreine Eegeschafte vum Indium ginn an de fortgeschrattsten technologesche Beräicher ausgenotzt.
* Compound-Hallefleiter: Als e Schlësselelement aus der Grupp III gëtt et an der Metallorganescher Dampphase-Epitaxie (MOVPE) benotzt fir héich performant Hallefleiter wéi Indiumphosphid (InP) an Indium-Gallium-Arsenid (InGaAs) ze wuessen. Dës si kritesch fir:
* Héichfrequenztransistoren
* Optoelektronik: Laser a Photodetektoren fir Glasfaserkommunikatioun.
* Fuerschung & Entwécklung: Déngt als Virleefermaterial an akademeschen an industrielle Labore fir d'Entwécklung vun neien Hallefleiterkomponenten an Nanomaterialien.
4. Nukleartechnologie
* Kontrollstangen: Indium, legéiert mat Sëlwer a Cadmium (Ag-In-Cd-Legierung), ass eng Schlësselkomponent a Kontrollstangen vun Atomreaktoren, wou säin héije Neutronenoffangquerschnitt hëlleft, d'Kärspaltungsreaktioun präzis ze reguléieren.
---
Schlëssel Charakteristiken & Virdeeler:
* Héich Rengheet: Garantéiert optimal Leeschtung a kriteschen Uwendungen ewéi Hallefleederfabrikatioun an ITO-Sputtering.
* Aussergewéinlech Duktilitéit: Kann einfach gerullt, extrudéiert a a verschidde Formen geformt ginn, dorënner Drot a Folie.
* Iwwerleeën Naassheet & Adhäsioun: Bildt staark Bindungen mat Glas, Metaller a Keramik, wouduerch et ideal fir d'Löten an d'Beschichtung ass.
* Kriteschen Erméiglecher: E wichtegt Material fir verschidde séier wuessend Technologien am Display-, Energie- an Telekommunikatiounssecteur.
Haftungsausschluss: D'Informatioun déi ugebuede gëtt, ass nëmme fir beschreiwend Zwecker geduecht. D'Benotzer sinn dofir verantwortlech, d'Gëeegentheet vun Indium-Barren fir hir spezifesch Uwendung ze kontrolléieren an all relevant Gesondheets-, Sécherheets- a Ëmweltvirschrëften beim Ëmgang a Gebrauch ze respektéieren.
