د اګست په ۹، ۲۰۲۴، د ماسپښین په ۱۵:۳۰ بجو د EE ټایمز جاپان کې خپور شو
د جاپان د هوکایډو پوهنتون یوې څیړنیزې ډلې په ګډه د کوچي د ټیکنالوژۍ پوهنتون سره د 78cm2/Vs د الکترون حرکت او غوره ثبات سره "د اکسایډ پتلی فلم ټرانزیسټر" رامینځته کړی. دا به ممکنه وي چې د راتلونکي نسل 8K OLED تلویزیونونو سکرینونه چلول شي.
د فعالې طبقې پتلي فلم سطحه د محافظتي فلم سره پوښل شوې ده، چې ثبات یې خورا ښه کوي
د ۲۰۲۴ کال په اګست کې، د هوکایډو پوهنتون د الکترونیکي علومو د څیړنې انسټیټیوټ مرستیال پروفیسور یوساکو کیو او پروفیسور هیرومیچي اوتا په ګډون د څیړنې یوې ډلې، د کوچي د ټیکنالوژۍ پوهنتون د ساینس او ټیکنالوژۍ ښوونځي د پروفیسور مامورو فروتا سره په همکارۍ، اعلان وکړ چې دوی د "اکسایډ پتلی فلم ټرانزیسټر" رامینځته کړی چې د ۷۸ سانتي مترو په اوږدوالي د الکترون حرکت او غوره ثبات لري. دا به ممکنه وي چې د راتلونکي نسل ۸K OLED تلویزیونونو سکرینونه چلول شي.
اوسني 4K OLED تلویزیونونه د سکرینونو د چلولو لپاره د آکسایډ-IGZO پتلي فلم ټرانزیسټرونو (a-IGZO TFTs) څخه کار اخلي. د دې ټرانزیسټر د الکترون حرکت شاوخوا 5 څخه تر 10 cm2/Vs دی. په هرصورت، د راتلونکي نسل 8K OLED تلویزیون د سکرین چلولو لپاره، د اکسایډ پتلي فلم ټرانزیسټر ته اړتیا ده چې د 70 cm2/Vs یا ډیر الکترون حرکت ولري.
مرستیال پروفیسور ماګو او د هغه ټیم د ۲۰۲۲ کال د ۱۴۰ سانتي مترو په اندازه د الکترون حرکت سره یو TFT رامینځته کړ، چې د یو پتلی فلم په کارولو سرهانډیم اکسایډ (In2O3)د فعال طبقې لپاره. په هرصورت، دا په عملي توګه کارول نه شو ځکه چې د هغې ثبات (اعتبار) په هوا کې د ګازو مالیکولونو د جذب او جلا کولو له امله خورا ضعیف و.
دا ځل، د څیړنې ډلې پریکړه وکړه چې د پتلي فعال طبقې سطحه د محافظتي فلم سره پوښ کړي ترڅو ګاز په هوا کې د جذب کیدو مخه ونیسي. تجربوي پایلو ښودلې چې TFTs د محافظتي فلمونو سرهیټریوم اکسایډاوایربیوم اکسایډډېر لوړ ثبات یې وښود. سربېره پردې، د الکترون حرکت ۷۸ سانتي متره/Vs و، او ځانګړتیاوې یې حتی هغه وخت هم بدلون ونه موند کله چې د ±۲۰ وولټ ولتاژ د ۱.۵ ساعتونو لپاره تطبیق شو، او ثابت پاتې شو.
له بلې خوا، په هغو TFTs کې ثبات ښه نه شو چې هافنیم اکسایډ یې کارولی و یاالمونیم اکسایډد محافظتي فلمونو په توګه. کله چې د الکترون مایکروسکوپ په کارولو سره اټومي ترتیب ولیدل شو، نو وموندل شو چېانډیم اکسایډ اویټریوم اکسایډ په اټومي کچه په کلکه تړل شوي وو (هیټروپیټاکسیل وده). برعکس، دا تایید شوه چې په TFTs کې چې ثبات یې ښه شوی نه و، د انډیم آکسایډ او محافظتي فلم ترمنځ انٹرفیس بې شکله و.