Verëffentlecht den 9. August 2024, um 15:30 Auer EE Times Japan
Eng Fuerschungsgrupp vun der japanescher Hokkaido Universitéit huet zesumme mat der Kochi University of Technology en "Oxid-Dënnfilmtransistor" mat enger Elektronemobilitéit vu 78 cm²/V an exzellenter Stabilitéit entwéckelt. Doduerch wäert et méiglech sinn, d'Bildschirmer vun 8K OLED Fernseher vun der nächster Generatioun unzedreiwen.
D'Uewerfläch vun der dënner Schicht vun der aktiver Schicht ass mat enger Schutzfolie bedeckt, wat d'Stabilitéit däitlech verbessert
Am August 2024 huet eng Fuerschungsgrupp, dorënner den Assistent Professer Yusaku Kyo an de Professer Hiromichi Ota vum Fuerschungsinstitut fir Elektronikwëssenschaft vun der Hokkaido Universitéit, a Kooperatioun mam Professer Mamoru Furuta vun der School of Science and Technology vun der Kochi University of Technology, ugekënnegt, datt si en "Oxid-Dënnschichttransistor" mat enger Elektronemobilitéit vu 78 cm2/Vs an exzellenter Stabilitéit entwéckelt hunn. Et wäert méiglech sinn, d'Bildschirmer vun 8K OLED Fernseher vun der nächster Generatioun unzedreiwen.
Aktuell 4K OLED Fernseher benotzen Oxid-IGZO Dënnfilmtransistoren (a-IGZO TFTs) fir d'Bildschirmer unzedreiwen. D'Elektronemobilitéit vun dësem Transistor ass ongeféier 5 bis 10 cm2/Vs. Fir de Bildschierm vun engem 8K OLED Fernseh vun der nächster Generatioun unzedreiwen, ass awer en Oxid-Dënnfilmtransistor mat enger Elektronemobilitéit vu 70 cm2/Vs oder méi erfuerderlech.
Den Assistent Professer Mago a säin Team hunn en TFT mat enger Elektronemobilitéit vun 140 cm2/Vs 2022 entwéckelt, andeems se en dënnen Film aus ... benotzt hunn.Indiumoxid (In2O3)fir déi aktiv Schicht. Si gouf awer net praktesch agesat, well hir Stabilitéit (Zouverlässegkeet) extrem schlecht war wéinst der Adsorptioun an Desorptioun vu Gasmolekülen an der Loft.
Dës Kéier huet d'Fuerschungsgrupp decidéiert, d'Uewerfläch vun der dënner aktiver Schicht mat engem Schutzfilm ze bedecken, fir ze verhënneren, datt Gas an der Loft adsorbéiert gëtt. Déi experimentell Resultater hunn gewisen, datt TFTs mat Schutzfilmer vunYttriumoxidanErbiumoxidhuet eng extrem héich Stabilitéit gewisen. Ausserdeem war d'Elektronemobilitéit 78 cm2/V, an d'Charakteristiken hunn sech net geännert, och wann eng Spannung vun ±20V fir 1,5 Stonnen ugewannt gouf, a si stabil bliwwen.
Op der anerer Säit huet sech d'Stabilitéit net an TFTs verbessert, déi Hafniumoxid oderAluminiumoxidals Schutzfilmer. Wéi d'Atomanordnung mat engem Elektronemikroskop observéiert gouf, gouf festgestallt, dattIndiumoxid anYttriumoxid ware fest op atomarer Ebene gebonnen (heteroepitaxialt Wuesstum). Am Géigesaz dozou gouf bestätegt, datt an TFTs, deenen hir Stabilitéit net verbessert gouf, d'Grenzfläche tëscht dem Indiumoxid an dem Schutzfilm amorph war.