2024 оны 8-р сарын 9-ний 15:30 цагт EE Times Japan нийтэлсэн.
Японы Хоккайдогийн Их Сургуулийн судалгааны баг Кочи Технологийн Их Сургуультай хамтран 78 см2/Vs электрон хөдөлгөөнтэй, маш сайн тогтвортой “исэл нимгэн хальсан транзистор”-ыг боловсруулсан. Энэ нь дараагийн үеийн 8K OLED зурагтуудын дэлгэцийг жолоодох боломжтой болно.
Идэвхтэй давхаргын гадаргуу нь нимгэн хальсаар бүрхэгдсэн тул тогтвортой байдлыг эрс сайжруулдаг.
2024 оны 8-р сард Хоккайдогийн Их Сургуулийн Электроникийн Шинжлэх Ухааны Судалгааны Хүрээлэнгийн туслах профессор Юсаку Кёо, профессор Хиромичи Ота нарыг багтаасан судалгааны баг Кочи Технологийн Их Сургуулийн Шинжлэх Ухаан, Технологийн Сургуулийн профессор Мамору Фурутатай хамтран 78 см2/Vs электрон хөдөлгөөнтэй, маш сайн тогтвортой "исэл нимгэн хальсан транзистор"-ыг боловсруулснаа зарлав. Ингэснээр дараагийн үеийн 8K OLED телевизийн дэлгэцийг жолоодох боломжтой болно.
Одоогийн 4K OLED телевизорууд дэлгэцийг ажиллуулахын тулд исэл-IGZO нимгэн хальсан транзистор (a-IGZO TFTs) ашигладаг. Энэхүү транзисторын электрон хөдөлгөөн нь ойролцоогоор 5-10 см2/Vs байдаг. Гэсэн хэдий ч дараагийн үеийн 8K OLED телевизийн дэлгэцийг ажиллуулахын тулд 70 см2/Vs ба түүнээс дээш электрон хөдөлгөөнтэй исэл нимгэн хальсан транзистор шаардлагатай.
Туслах профессор Маго болон түүний баг 2022 онд нимгэн хальс ашиглан 140 см2/Vs электрон хөдөлгөөнтэй TFT боловсруулсан.индий исэл (In2O3)идэвхтэй давхаргын хувьд. Гэсэн хэдий ч агаарт байгаа хийн молекулуудын адсорбци ба десорбцийн улмаас тогтвортой байдал (найдвартай байдал) нь маш муу байсан тул практикт ашиглагдаагүй.
Энэ удаад судалгааны баг агаарт хийн шингээлтээс урьдчилан сэргийлэхийн тулд нимгэн идэвхтэй давхаргын гадаргууг хамгаалалтын хальсаар хучихаар шийджээ. Туршилтын үр дүнгээс харахад хамгаалалтын хальстай TFT-үүд ...иттрий исэлмөнэрбиум исэлмаш өндөр тогтвортой байдлыг харуулсан. Түүнчлэн, электроны хөдөлгөөн 78 см2/Vs байсан бөгөөд ±20В хүчдэлийг 1.5 цагийн турш хэрэглэсэн ч тогтвортой хэвээр байсан ч шинж чанар нь өөрчлөгдөөгүй.
Нөгөөтэйгүүр, гафний исэл эсвэл бусад оксид ашигласан TFT-д тогтвортой байдал сайжирсангүй.хөнгөн цагааны исэлхамгаалалтын хальс болгон ашигладаг. Электрон микроскоп ашиглан атомын зохион байгуулалтыг ажиглахад ... нь ... болохыг тогтоожээ.индий исэл мөниттрий исэл атомын түвшинд нягт холбогдсон (гетероэпитаксиал өсөлт). Үүний эсрэгээр тогтвортой байдал нь сайжраагүй TFT-д индиум исэл ба хамгаалалтын хальсны хоорондох интерфейс нь аморф байсан нь батлагдсан.