Dipublikasikeun dina 9 Agustus 2024, jam 15:30 EE Times Japan
Hiji kelompok panalungtikan ti Universitas Hokkaido Jepang parantos babarengan ngembangkeun "transistor pilem ipis oksida" kalayan mobilitas éléktron 78cm2/Vs sareng stabilitas anu saé pisan sareng Universitas Téknologi Kochi. Bakal tiasa ngajalankeun layar TV OLED 8K generasi salajengna.
Beungeut lapisan ipis aktif ditutupan ku pilem pelindung, anu ningkatkeun stabilitas sacara signifikan
Dina bulan Agustus 2024, hiji kelompok panalungtikan anu ngawengku Asisten Profesor Yusaku Kyo sareng Profesor Hiromichi Ota ti Institut Panalungtikan Élmu Éléktronik, Universitas Hokkaido, kalayan kerjasama sareng Profesor Mamoru Furuta ti Sakola Élmu sareng Téknologi, Universitas Téknologi Kochi, ngumumkeun yén aranjeunna parantos ngembangkeun "transistor pilem ipis oksida" kalayan mobilitas éléktron 78cm2/Vs sareng stabilitas anu saé pisan. Bakal tiasa ngajalankeun layar TV OLED 8K generasi salajengna.
TV OLED 4K ayeuna nganggo transistor pilem ipis oksida-IGZO (a-IGZO TFT) pikeun ngajalankeun layar. Mobilitas éléktron transistor ieu sakitar 5 dugi ka 10 cm2/Vs. Nanging, pikeun ngajalankeun layar TV OLED 8K generasi salajengna, diperyogikeun transistor pilem ipis oksida kalayan mobilitas éléktron 70 cm2/Vs atanapi langkung.
Asisten Profesor Mago sareng timna ngembangkeun TFT kalayan mobilitas éléktron 140 cm2/Vs 2022, nganggo pilem ipisindium oksida (In2O3)pikeun lapisan aktif. Nanging, éta henteu dianggo sacara praktis sabab stabilitas (reliabilitas) na goréng pisan kusabab adsorpsi sareng désorpsi molekul gas di udara.
Waktos ieu, kelompok panalungtikan mutuskeun pikeun nutupan permukaan lapisan aktif ipis ku pilem pelindung pikeun nyegah gas kaserep dina hawa. Hasil ékspérimén nunjukkeun yén TFT kalayan pilem pelindung tinaoksida itriumjeungoksida erbiumnémbongkeun stabilitas anu luhur pisan. Leuwih ti éta, mobilitas éléktron nyaéta 78 cm2/Vs, sareng karakteristikna henteu robih sanajan tegangan ±20V diterapkeun salami 1,5 jam, tetep stabil.
Di sisi séjén, stabilitas teu ningkat dina TFT anu nganggo hafnium oksida atanapialuminium oksidasalaku pilem pelindung. Nalika susunan atom dititénan nganggo mikroskop éléktron, kapanggih yénindium oksida jeungoksida itrium ngabeungkeut pageuh dina tingkat atom (pertumbuhan heteroepitaxial). Sabalikna, dikonfirmasi yén dina TFT anu stabilitasna henteu ningkat, antarmuka antara indium oksida sareng pilem pelindung éta amorf.