တန္တလမ် (V) အောက်ဆိုဒ် (Ta2O5 သို့မဟုတ် တန္တလမ် ပန်တောက်ဆိုဒ်) သန့်စင်မှု 99.99% Cas 1314-61-0
| တန္တလမ် ပန်အောက်ဆိုဒ် | |
| အဓိပ္ပါယ်တူစကားလုံးများ- | တန်တလမ်(V) အောက်ဆိုဒ်၊ Ditantalum pentoxide၊ |
| CAS နံပါတ် | ၁၃၁၄-၆၁-၀ |
| ဓာတုဗေဒ ဖော်မြူလာ | Ta2O5 |
| မော်လာဒြပ်ထု | ၄၄၁.၈၉၃ ဂရမ်/မိုလ် |
| အသွင်အပြင် | အဖြူရောင်၊ အနံ့မရှိသော အမှုန့် |
| သိပ်သည်းဆ | β-Ta2O5 = 8.18 g/cm3၊ α-Ta2O5 = 8.37 g/cm3 |
| အရည်ပျော်မှတ် | ၁,၈၇၂ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် (၃,၄၀၂ ဒီဂရီဖာရင်ဟိုက်; ၂၁၄၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်) |
| ရေတွင်ပျော်ဝင်နိုင်မှု | လျစ်လျူရှုထားနိုင်သော |
| ပျော်ဝင်နိုင်မှု | အော်ဂဲနစ်ပျော်ရည်များနှင့် သတ္တုအက်ဆစ်အများစုတွင် မပျော်ဝင်နိုင်ဘဲ HF နှင့် ဓာတ်ပြုပါသည်။ |
| တီးဝိုင်းကွာဟချက် | ၃.၈–၅.၃ eV |
| သံလိုက်ခံနိုင်ရည်အား (χ) | -၃၂.၀ × ၁၀ -၆ cm3/mol |
| အလင်းယိုင်ညွှန်းကိန်း (nD) | ၂.၂၇၅ |
မြင့်မားသောသန့်စင်မှု Tantalum Pentoxide ဓာတုဗေဒသတ်မှတ်ချက်
| သင်္ကေတ | Ta2O5(% မိနစ်) | နိုင်ငံခြား Mat.≤ppm | LOI | အရွယ်အစား | ||||||||||||||||
| Nb | Fe | Si | Ti | Ni | Cr | Al | Mn | Cu | W | Mo | Pb | Sn | အယ်လ်+ကာ+လီ | K | Na | F | ||||
| UMTO4N | ၉၉.၉၉ | 30 | 5 | 10 | 3 | 3 | 3 | 5 | 3 | 3 | 5 | 5 | 3 | 3 | - | 2 | 2 | 50 | ၀.၂၀% | ၀.၅-၂ မိုက်ခရိုမီတာ |
| UMTO3N | ၉၉.၉ | 3 | 4 | 4 | 1 | 4 | 1 | 2 | 10 | 4 | 3 | 3 | 2 | 2 | 5 | - | - | 50 | ၀.၂၀% | ၀.၅-၂ မိုက်ခရိုမီတာ |
ထုပ်ပိုးမှု- အတွင်းပိုင်းတွင် နှစ်ထပ်ပလတ်စတစ်ဖြင့် လုံအောင်ပိတ်ထားသော သံစည်များထဲတွင်။
တန္တလမ်အောက်ဆိုဒ်များနှင့် တန္တလမ်ပန်တောက်ဆိုဒ်များကို ဘာအတွက်အသုံးပြုကြသနည်း။
အဓိကအသုံးချနယ်ပယ်များ
၁။ အီလက်ထရွန်းနစ် လုပ်ဆောင်ချက်ဆိုင်ရာ ပစ္စည်းများ
၁။ မျက်နှာပြင်အသံလှိုင်း (SAW) စစ်ထုတ်အလွှာ-
- မိုဘိုင်းဆက်သွယ်ရေးကိရိယာများအတွက် ရေဒီယိုလှိုင်းစစ်ထုတ်ကိရိယာများ ထုတ်လုပ်ရာတွင် အသုံးပြုသည့် လီသီယမ်တန်တလိတ် (LiTaO₃) တစ်ခုတည်းသော ပုံဆောင်ခဲများကို ပေါင်းစပ်ထုတ်လုပ်ရန်အတွက် အဓိကကုန်ကြမ်း
- Terminal အပလီကေးရှင်းများ- စမတ်ဖုန်း/တက်ဘလက်များ (5G band support)၊ GPS မော်ဂျူးများ၊ IoT smart မီတာများ
- စွမ်းဆောင်ရည် အားသာချက်- ကြိမ်နှုန်းတည်ငြိမ်မှု ±0.5ppm (-40℃ မှ +85℃)
၂။ တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း ရှေ့ပြေးပစ္စည်းများ-
- Tantalum carbide (TaC) ဓာတုဗေဒနည်းဖြင့်ပြုလုပ်ထားသော ကုန်ကြမ်းပစ္စည်း- superhard tool coating အတွက် (microhardness ≥ 2200 HV)
- Sputtering target: DRAM capacitor dielectric layer deposition (dielectric constant εr = 25-30)
၂။ အလင်းနည်းပညာ
၁။ အဆင့်မြင့် အလင်းတန်းစနစ်
- အလင်းယိုင်ညွှန်းကိန်း မြှင့်တင်ပေးသည့်ပစ္စည်း- အလင်းမှန်၏ အလင်းယိုင်ညွှန်းကိန်းကို nd=1.75-2.20 (400-700nm) အထိ တိုးမြှင့်ပါ။
- စုပ်ယူမှုနည်းသော အပေါ်ယံလွှာ- ရောင်ပြန်ဟပ်မှု ဆန့်ကျင်သည့် ဖလင် ပြင်ဆင်ခြင်း (extinction coefficient k<0.001@550nm)
၂။ အထူးဖိုက်ဘာအသုံးချမှုများ:
- Fiber Bragg Grating dopants: အပူချိန် sensitivity ကို 15pm/°C အထိ မြှင့်တင်ပေးသည်
- အနီအောက်ရောင်ခြည် အလင်းတန်း အစိတ်အပိုင်းများ- 3-5μm အလယ်အလတ် အနီအောက်ရောင်ခြည် လှိုင်းအလျားတွင် ထုတ်လွှင့်နိုင်မှု > 92%
၃။ စက်မှုလုပ်ငန်းသုံး ဓာတ်ကူပစ္စည်းများနှင့် ပြုပြင်မွမ်းမံခြင်း
၁။ ဓာတုဓာတ်ကူပစ္စည်း
- Olefin epoxidation catalyst: ပြောင်းလဲမှုနှုန်း > 95% (fixed bed reactor)
- ရေမှ ဟိုက်ဒရိုဂျင်ထုတ်လုပ်ရန်အတွက် ဓာတ်ပုံဓာတ်ကူပစ္စည်း (CdS ဖြင့် ပေါင်းစပ်ထားသည်)
၂။ ပစ္စည်းပြုပြင်မွမ်းမံခြင်း-
- သံချေးခံနိုင်ရည်ရှိသော သတ္တုစပ် ဖြည့်စွက်ပစ္စည်းများ- ၁၁၀၀°C တွင် နီကယ်အခြေခံ သတ္တုစပ်များ၏ အောက်ဆီဒေးရှင်း ခံနိုင်ရည်ကို မြှင့်တင်ပေးသည်
- ကြွေထည်အားဖြည့်ခြင်းအဆင့်- အလူမီနာအခြေခံ ပေါင်းစပ်ပစ္စည်းများ၏ ကျိုးပဲ့ခြင်းခံနိုင်ရည်ကို ၄၀% တိုးမြှင့်ပေးသည်
| ပိုင်ဆိုင်မှု | ကန့်သတ်ချက် အပိုင်းအခြား | စမ်းသပ်စံနှုန်းများ |
| သန့်စင်မှုအဆင့် | အီလက်ထရွန်းနစ်အဆင့်: 99.95% -99.999% | ICP-MS GB/T ၂၆၀၀၈ |
| ပုံဆောင်ခဲဖွဲ့စည်းပုံ | အော်သိုဟွမ်ဘစ်အဆင့်/အမော်ဖတ်စ်အဆင့် (ရွေးချယ်နိုင်သည်) | XRD ISO ၂၀၂၀၃ |
| အမှုန်အရွယ်အစား ဖြန့်ဖြူးမှု | D50: 0.5-10μm (နာနိုစကေးကို စိတ်ကြိုက်ပြင်ဆင်နိုင်သည်) | SEM ISO 13322-1 |
| ဒိုင်အီလက်ထရစ်ဂုဏ်သတ္တိများ | ပြိုကွဲမှုစက်ကွင်းအစွမ်းသတ္တိ >600kV/cm2 | IEC 60270 |
| အပူချိန်တည်ငြိမ်မှု | အရည်ပျော်မှတ်: 1872℃±10℃ | DSC ISO 1135 7 |
လုံခြုံရေးနှင့် လိုက်နာမှု
သယ်ယူပို့ဆောင်ရေး အမျိုးအစားခွဲခြားခြင်း- အန္တရာယ်မရှိပါ (ကုလသမဂ္ဂနံပါတ် သက်ဆိုင်ခြင်းမရှိပါ)
သိုလှောင်မှုလိုအပ်ချက်များ- အခန်းအပူချိန်တွင် ခြောက်သွေ့သောပတ်ဝန်းကျင်၊ အက်ဆစ်ပြင်းများနှင့် ထိတွေ့ခြင်းကို ရှောင်ကြဉ်ပါ။
ပတ်ဝန်းကျင်ဆိုင်ရာ အသိအမှတ်ပြုလက်မှတ်-
- RoHS 3.0 ညွှန်ကြားချက် (2015/863/EU) နှင့် ကိုက်ညီပါသည်။
- REACH SVHC အောက်တွင် မပါဝင်သော ပစ္စည်းများ
- ပဋိပက္ခသတ္တုများဆိုင်ရာမူဝါဒ (CMRT 6.0) နှင့် ကိုက်ညီမှု
အရည်အသွေးထိန်းချုပ်မှု
၁။ အဆင့်စံနှုန်းများ
- အလင်းတန်းအဆင့်: ISO 10110-7 အစွန်းအဆင့် A
- အီလက်ထရွန်းနစ်အဆင့်: SEMI C8.1 သတ္တုညစ်ညမ်းမှုထိန်းချုပ်ရေး
၂။ စမ်းသပ်ခြင်းအာမခံချက်-
- အသုတ်တစ်ခုစီအတွက် XRF ဒြပ်စင်ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာမှုအစီရင်ခံစာ ပေးပါ။
- BET မျက်နှာပြင်ဧရိယာ ထောက်လှမ်းခြင်း (0.5-10m²/g ချိန်ညှိနိုင်သည်)
- ရေဒီယိုသတ္တိကြွပစ္စည်း စစ်ဆေးခြင်း (U/Th < 1 ppb)
---
ပုံမှန်လျှောက်လွှာကိစ္စများ
- 5G အခြေစိုက်စခန်း filter ထုတ်လုပ်သူသည် အီလက်ထရွန်းနစ်အဆင့် Ta₂O₅ ကိုအသုံးပြုသောကြောင့် insertion loss ကို 1.2dB (3.5GHz band) အထိ လျှော့ချပေးပါသည်။
- High-end camera lens manufacturers use optical-grade products to achieve a refractive index of nd=2.15@587.6nm
မှတ်သားထားရမည့်အချက်များ
• နာနိုမှုန့်ကိုင်တွယ်ခြင်းသည် ISO 13137 အသက်ရှူလမ်းကြောင်းဆိုင်ရာကာကွယ်ရေးစံနှုန်းများနှင့် ကိုက်ညီရမည်။
• Corundum crucibles များကို အပူချိန်မြင့် sintering applications များအတွက် အကြံပြုထားသည်။
• Optical coatings များသည် deposition rate ကို 0.5nm/s အောက်သို့ ထိန်းချုပ်ရန် လိုအပ်သည်
---
ဤဖော်ပြချက်သည် တန္တလမ်ပန်တောက်ဆိုဒ်၏ အထွေထွေဝိသေသလက္ခဏာများကို အခြေခံထားသည်။ သီးခြားကန့်သတ်ချက်များသည် COA (အရည်အသွေးစစ်ဆေးရေးအစီရင်ခံစာ) နှင့် သက်ဆိုင်သည်။
အထူးပုံစံများ (နာနိုမှုန့်များ/စပတ္တာပစ်မှတ်များ/တစ်ခုတည်းသောပုံဆောင်ခဲအလွှာများ) အတွက် စိတ်ကြိုက်နည်းပညာဆိုင်ရာဖြေရှင်းချက်များကို ပေးနိုင်ပါသည်။
ဆက်စပ်သောထုတ်ကုန်များ
-
Tungsten(VI) Oxide Powder (Tungsten Trioxide &#...
-
မြင့်မားသောသန့်စင်မှုရှိသော ဆီစီယမ်နိုက်ထရိတ် သို့မဟုတ် ဆီစီယမ်နိုက်ထရိတ် (C...
-
ကိုဘော့မှုန့်ကို အစိတ်အပိုင်းအမျိုးမျိုးဖြင့် ရရှိနိုင်ပါသည်...
-
စထရွန်တီယမ်ကာဗွန်နိတ် အမှုန့် SrCO3 စမ်းသပ်ခြင်း 97%...
-
မြင့်မားသောသန့်စင်မှုရှိသော မိုလစ်ဒီနမ်သတ္တုပြားနှင့် အမှုန့်...
-
လန်သနမ် (La) အောက်ဆိုဒ်