Toza Boronê
| Boron | |
| Xuyabûnî | Reş-qehweyî |
| Qonaxa li STP | Liserxwe |
| Xala helandinê | 2349 K (2076 °C, 3769 °F) |
| Xala kelandinê | 4200 K (3927 °C, 7101 °F) |
| Tîrbûn dema ku şile ye (li mp) | 2.08 g/cm3 |
| Germahiya hevgirtinê | 50.2 kJ/mol |
| Germahiya buharbûnê | 508 kJ/mol |
| Kapasîteya germahiya molar | 11.087 J/(mol·K) |
Taybetmendiya Pargîdaniyê ji bo Toza Boronê
| Navê Berhemê | Pêkhateya Kîmyayî | Mezinahiya Navînî ya Partîkan | Xuyabûnî | ||||||
| Toza Boronê | Nano Boron ≥99.9% | Oksijena Giştî ≤100ppm | Iyonê Metal (Fe/Zn/Al/Cu/Mg/Cr/Ni) / | D50 50~80nm | Toza reş | ||||
| Toza Krîstal a Boronê | Krîstala Borê ≥99% | Mg≤3% | Fe≤0.12% | Al≤1% | Ca≤0.08% | Si ≤0.05% | Cu ≤0.001% | -300 mesh | Toza qehweyîya vekirî heta gewrê tarî |
| Toza Borê ya Hêmana Amorf | Borê Ne-Krîstal ≥95% | Mg≤3% | Borona di avê de çareserker ≤0.6% | Maddeya ku di avê de nayê çareserkirin ≤0.5% | Av û Materyalê Guherbar ≤0.45% | Mezinahiya standard 1 mîkron, mezinahiyên din li ser daxwazê hene. | Toza qehweyîya vekirî heta gewrê tarî | ||
Pakêt: Çenteya Folîyûmê ya Aluminum
Depokirin: Parastin di bin şert û mercên zuwakirinê yên girtî de û ji kîmyewiyên din cuda hilînin.
Bikaranînên taybetî yên Borona Krîstal çi ne?
I. Pîşesaziya Nukleerî
-Wekî materyalek kontrolkirina reaksiyona notronê di reaktorên nukleerî de kar dike da ku leza notronê rêk bixe û xebata reaktorê ya sabît biparêze.
-Ji bo kêmkirina an jî sererastkirina herîna notronan bi bandor, û misogerkirina ewlehiya pergalên enerjiya nukleerî, kapasîteya kişandina notronan a bêhempa ya bora krîstalî bikar tîne.
II. Serlêdanên Nîvconductor
Dopantê cureyê P
Wekî hêmanek Koma III, bora krîstalî astên qebûlker di silîkonê de destnîşan dike û wekî dopanta bingehîn ji bo çêkirina nîvconductorên celebê P kar dike. Bi rêya çandina îyonan an pêvajoyên belavbûnê, kontrola rastîn a rêjeya dopingê dihêle ku di cîhazên wekî dîod, tranzîstorên bandora zeviyê (FET), û tranzîstorên duqutbî yên deriyê îzolekirî (IGBT) de qulên celebê P an jî substratan çêbibin.
-Amadekirina Silîkona Monokrîstalîn a Tîpa P
Di dema mezinbûna silîkona monokrîstalîn de bi rêya rêbaza Czochralski (CZ) an Float Zone (FZ), mîqdarên piçûk ên bora krîstalîn a paqijiya bilind li helandina silîkona polîkrîstalîn a paqijiya bilind têne zêdekirin. Bi karanîna bandora veqetandina borê di silîkonê de, krîstalên yekane yên silîkona celebê P bi berxwedanek kontrolkirî têne bidestxistin. Krîstalên yekane yên weha wekî materyalên substratê yên bingehîn ji bo cîhazên veqetandî, çerxên entegre yên analog, û cîhazên nîvconductor ên hêzê tevdigerin.
-Materyalê Çavkaniyê ji bo Krîstalên Tekane yên Silîkonê yên bi Borê Dopkirî
Wekî çavkaniyek boronê ya paqij, boronê krîstalî dikare ji bo hilberandina krîstalên yekane yên silîkonê bi konsantrasyonên boronê yên diyarkirî bi rêya hev-dopkirina helandinê were bikar anîn. Li gorî çavkaniyên din ên boronê (mînak, boran, boron trîbromîd), boronê krîstalî aramiya paqijiya bilind û yekrengiya dopkirinê pêşkêşî dike, ku ew ji bo hewcedariyên substratê yên xwerû di cîhazên nîvconductor ên performansa bilind de wekî detektor û çîpên hêzê yên voltaja bilind de guncan dike.
-Pêdiviyên Paqijiyê
Ji bo misogerkirina profîlên dopkirina rast û hilberîna cîhazê ya bilind, divê bora krîstalî paqijiya pola nîvconductor bicîh bîne (bi gelemperî ≥99.9999%, ango 6N an jî bilindtir). Divê qirêjiyên metalî (mînak, Fe, Cu, Na) di asta ppb de werin kontrol kirin, bi sînorên hişk li ser qirêjiyên elementên sivik ên wekî karbon û oksîjenê. Mîna dopantên celebê N, di nav de fosfor, antîmon û arsenîk, divê bora krîstalî û jîngeha têkiliya wê bi silîkonê re di bin şert û mercên pir paqij de werin destgirtin.
III. Optîk
-Taybetmendiyên xwe yên optîkî yên ne-xêzik ên berbiçav bikar tîne da ku fonksiyonên wekî modûlasyona ronahiyê, paqijkirina frekansê, û duqatkirina frekansê bi dest bixe.
-Di çêkirina cîhazên optîkî yên wekî modulatorên optîkî, şehên frekansa optîkî û lazeran de tê bikar anîn.
-Wekî navgînek qezenckirinê ji bo lazerên înfrared xizmet dike, ku xwedan xaçerêyek belavkirinê ya mezin û rêzek spektral a teşwîqkirinê ya fireh e.
IV. Materyalên Hişkbûna Bilind
- Di hilberînê de tê bikaranînkarbîda boronê (B₄C), materyalek seramîk a ultra-hişk bi berxwedana li hember aşînê û aramiya germahiya bilind a hêja, ku bi berfirehî di yelekên gulebaran, amûrên hişk, aşînêran û seramîkên li hember aşînê berxwedêr de tê bikar anîn.
- Di hilberînê de tê bikaranînpêkhateyên boronê yên grafît (B₉), ku xwedî avahiyek grafît-mîna, îxtîyarîyek elektrîkê ya bilind, û aramiya germî ne, ji bo girêdanên îxtîyarî yên performansa bilind, materyalên rêveberiya germî, û materyalên sürtûnê guncan in.
V. Leşkerî û Hewayî
-Materyalên berxwedêr ên balîstîk ên seramîk ên boronê yên paqijiya bilind
-Retardantên boronê yên paqijiya bilind
-Ajanên welding boronê yên paqijiya bilind
-Teqemeniyên boronê yên paqijiya bilind
-Pêşkêşên rokêtê yên dewlemend bi borê û paqijiya bilind bi sotemeniyê / kêm oksîjenê
VI. Hevbendî û Metalurjî
-Alloyên boron-sifir ên paqijiya bilind
-Alloyên boron-tîtanyûmê yên paqijiya bilind
-Elmasa polîkrîstalîn a bi boronê paqijiya bilind
-Amûrên boronê yên paqijiya bilind ên pir hişk û li hember cilandinê berxwedêr
-Pelên pola yên berxwedêr ên korozyonê yên boronê yên paqijiya bilind
-Alloyên boron-nîkel ên paqijiya bilind
-Alloyên boron-kromê yên paqijiya bilind
-Aloyên Lîtyûm-Boron (ji bo materyalên bateriyê yên nifşê pêşerojê)
-Aloyên superconductor ên boron-magnezyûmê
VII. Pêçandina Rûyê (Materyalên Nanopozê)
-Materyalên toza nano-pêçandina borê ya paqijiya bilind bi rêya sputterkirinê li ser rûyên substratê têne danîn, û taybetmendiyên jêrîn didin pêkhateyan:
Berxwedana li hember xişandinê
Berxwedana li dijî korozyonê
Berxwedana germahiya bilind
Berxwedana oksîdasyonê
o Berxwedana li dijî pîrbûnê
-Pêdiviyên xebitandinê yên dijwar ên motorên fezayî û jîngehên din ên dijwar (mînak, taybetmendiyên optoelektronîkî, magnetîkî) pêk tîne.
Bikaranînên tîpîk ên Amorphous Boron çi ne?
I. Sotemenî û Propellantên Enerjiya Bilind
1. Propellantên Rokêtê yên Hişk:Wekî pêvekek enerjîya bilind tê bikar anîn da ku rêjeya şewitandinê û impulsa taybetî zêde bike, ji bo mûşekên taktîkî û pergalên zêdekirina hewavaniyê guncan e.
2. Sotemeniyên Enerjiya Bilind ji bo Roket û Mûşekan:Di hilberîna pêkhateyên boranê de (mînak, dîboran, dekaboran) wekî pêkhateyên sereke yên sotemeniyên enerjiya bilind ên şile an hişk tê bikar anîn.
II. Pîşesaziya Nukleerî
1. Materyalên Vegirtina Nîtronê:Bi karanîna beşa girtina notronên germî ya bilind a Boron-10 (¹⁰B), ku di çîpên kontrolkirina reaktorên nukleerî, pergalên vemirandina acîl û tebeqeyên parastina notronê de tê bikar anîn.
2. Jimarvanên Notronê:Ji bo tespîtkirina notronên germî û analîza spektruma enerjiyê li ser dîwarên hundir ên detektoran hatiye pêçandin.
3. Hilberîna Pola Boronê:Wekî lêzêdekerek boronê ji bo helandina pola yên alloyên taybet (pola boron) ji bo pêkhateyên avahiya reaktorê û beşên parastina notronê tê bikar anîn.
III. Endezyariya Elektronîk û Elektrîkê
1.Elektrodên Ignitor ji bo Ignitrons:Piştî karbonîzasyonê li 2300℃, wekî materyalên katodê ji bo korîkên şewitandinê yên bi eşika şewitandina nizm û berxwedana ablasyonê ya bilind têne bikar anîn.
2. Materyalên Xav ji bo Katodên Performansa BilindJi bo sentezkirina heksaborida lantanum (LaB₆), katodek termîyonîk a pir aram û temendirêj ku di mîkroskopên elektronîkî û lûleyên mîkropêlê yên hêza bilind de tê sepandin, tê bikar anîn.
IV. Metalurjî û Pêvajoya Materyalan
1. Helandina Pola Hevbendiyê ya Taybet:Zêdekirina borê ya şopîner bi girîngî hişkbûna pola, hêza germahiya bilind, û berxwedana tîrêjkirina notronê baştir dike.
2. Paqijkerê Gazê ji bo Sifirê Helandî:Oksîjen û gazên din ên çareserbûyî ji sifirê heliyayî derdixe da ku guhêzbarî û tîrbûnê zêde bike.
3. Materyalên Bi Fîbera Borê Xurtkirî:Wekî madeya xav a bingehîn ji bo fîberên boron di kompozîtên hewavaniyê û alavên werzîşê yên performansa bilind de tê bikar anîn.
V. Katalîzator û Senteza Kîmyewî
1. Katalîzatorên Senteza Organîk:Di reaksiyonên hîdrojenasyona bijartî, dehîdrojenasyon, û ji nû ve rêzkirinê de tê bikar anîn da ku berhem û bijartîbûnê baştir bike.
2. Katalîzatorên Pîşesaziya Seramîk:Pêşvebirina sinterkirina germahiya nizm û dendikbûna seramîkên borîd (mînak, TiB₂, ZrB₂).
3. Senteza Têkelên Borê yên Paqijiya Bilind:Wekî çavkaniyek boronê tê bikar anîn da ku asîda borîk a paqijiya bilind, sodyûm borohîdrid, boron nîtrid, û kîmyewiyên din ên baş hilberîne.
4. Amadekirina Halîdên Borê yên Paqijiya Bilind:Ji bo sentezkirina BBr₃, BCl₃, û hwd. yên paqijiya bilind, wekî çavkaniyên belavbûna nîvconductor û dopantên fîbera optîkî tê bikar anîn.
VI. Sîstemên Ewlehiya Otomobîlan
-Destpêkerên Balîfên Hewayî: Wekî pêkhateyek ji ajanên ku gaz çêdikin tê bikar anîn; di dema pevçûnê de, ew zû dişewite da ku nîtrojena zexta bilind hilberîne û balîfê hewayê tijî bike.
VII. Pîşesaziya Fîşekên Agir û Pîroteknîkê
-Madenên Bandorên Pîroteknîkî: Dema ku dişewite agirê kesk û xirûskên geş çêdike, di fîşekên hewayî, fîşekên sînyalê û guleyên ronîkirinê yên leşkerî de tê bikar anîn.
VIII. Warên Derman û Biyolojîk
-Navberên Dermansazî: Di senteza dermanên ku boron tê de hene (mînak, boronofînîlalanîn) ji bo Terapiya Girtina Nîtronê ya Boronê (BNCT) de, an jî wekî çavkaniyên dopîngkirinê ji bo materyalên antîbakteriyal têne bikar anîn.
