တရုတ်နိုင်ငံရှိ အီလက်ထရွန်းနစ်အဆင့် ဟက်ဖ်နီယမ် တက်ထရာကလိုရိုက်၏ ဈေးကွက်အရွယ်အစားနှင့် ထုတ်လုပ်မှုစွမ်းရည်သည် အဆက်မပြတ် တိုးချဲ့လျက်ရှိသည်။
၂၀၂၆ ခုနှစ် မတ်လ ၅ ရက်နေ့တွင် ထုတ်ပြန်ခဲ့သော တရုတ်အတွေးအခေါ်သစ် လုပ်ငန်းသုတေသနစင်တာ
အီလက်ထရွန်းနစ်အဆင့် ဟက်ဖ်နီယမ် တက်ထရာကလိုရိုက် ဆိုသည်မှာ ၉၉.၉၅% သို့မဟုတ် ထို့ထက်ပိုသော သန့်စင်မှုရှိသော မြင့်မားသော သန့်ရှင်းစင်ကြယ်သည့် ဟက်ဖ်နီယမ် တက်ထရာကလိုရိုက်ကို ရည်ညွှန်းပါသည်။
ဟက်ဖ်နီယမ် တက်ထရာကလိုရိုက်မော်လီကျူးဖော်မြူလာဖြင့်HfCl4မော်လီကျူးအလေးချိန် ၃၂၀.၃၀၂ ရှိပြီး အဖြူရောင် ပုံဆောင်ခဲမှုန့်ဖြစ်သည်။ ၎င်းသည် ချေးတက်စေပြီး မျက်လုံးနှင့် အရေပြားကို လောင်ကျွမ်းစေနိုင်သည်။ အသက်ရှူလမ်းကြောင်းဆိုင်ရာစနစ်ကိုလည်း ယားယံစေသည်။ ၎င်းတွင် အရည်ပျော်မှတ် ၃၂၀°C ရှိပြီး ဆူပွက်နိုင်သည်။ မီသနောနှင့် အက်စီတုန်းကဲ့သို့သော အော်ဂဲနစ်ပျော်ရည်များတွင် အလွယ်တကူပျော်ဝင်နိုင်သည်။ အဆိပ်ဓာတ်ငွေ့များထုတ်လွှတ်ရန် ရေနှင့်ဓာတ်ပြုသည်။ ၎င်းသည် ရေငွေ့စုပ်နိုင်ပြီး လေနှင့်ထိတွေ့သောအခါ အလွယ်တကူပြိုကွဲသွားပြီး လုံလုံခြုံခြုံသိမ်းဆည်းထားသော ကွန်တိန်နာတွင် သိမ်းဆည်းရမည်။
“၂၀၂၅ ခုနှစ် တရုတ် အီလက်ထရွန်းနစ် အဆင့် ဟက်ဖ်နီယမ် တက်ထရာကလိုရိုက် ဈေးကွက် အထူးစစ်တမ်းနှင့် လုပ်ငန်း '၁၅ ကြိမ်မြောက် ငါးနှစ်စီမံကိန်း' အကြံပြုချက် အစီရင်ခံစာ” ကို New Thinking Industry Research Center မှ ထုတ်ပြန်ခဲ့ပြီး အီလက်ထရွန်းနစ် အဆင့် ဟက်ဖ်နီယမ် တက်ထရာကလိုရိုက်ကို အဓိကအားဖြင့် semiconductor လုပ်ငန်းတွင် semiconductor precursor ပစ္စည်းအဖြစ် အသုံးပြုသည်။ ၎င်းကို atomic layer deposition (ALD) နှင့် chemical vapor deposition (CVD) ကဲ့သို့သော လုပ်ငန်းစဉ်များကို အသုံးပြု၍ ဟက်ဖ်နီယမ် အခြေခံ အလွှာပါးများအဖြစ် သိုလှောင်ပြီး စိုက်ပျိုးသည်။ ဟက်ဖ်နီယမ် အခြေခံ အလွှာပါးများတွင် dielectric constant မြင့်မားသောကြောင့် နောက်မျိုးဆက် အရွယ်အစားသေးငယ်ပြီး စွမ်းဆောင်ရည်မြင့် transistor များ၏ gate dielectric layer ထုတ်လုပ်ရာတွင် အဓိကပစ္စည်းများထဲမှ တစ်ခုဖြစ်လာစေသည်။ အီလက်ထရွန်းနစ် အဆင့် ဟက်ဖ်နီယမ် တက်ထရာကလိုရိုက်သည် ချစ်ပ်ထုတ်လုပ်မှု လုပ်ငန်းစဉ်များ စဉ်ဆက်မပြတ် ကျုံ့သွားခြင်း၏ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှု လမ်းကြောင်းကို ဖြည့်ဆည်းပေးနိုင်ပြီး ၎င်း၏ ဈေးကွက်နေရာသည် အဆက်မပြတ် တိုးချဲ့နေသည်။ ထို့အပြင်၊ ၎င်း၏ အလွန်ကောင်းမွန်သော optical ဂုဏ်သတ္တိများ၊ စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ ဂုဏ်သတ္တိများနှင့် thermal stability ကြောင့် အီလက်ထရွန်းနစ် အဆင့် ဟက်ဖ်နီယမ် တက်ထရာကလိုရိုက်ကို optical အလွှာပါးများ၊ high-power LED များ၊ near-infrared optoelectronic devices များနှင့် ultra-high temperature ceramics များ ထုတ်လုပ်ရာတွင်လည်း အသုံးပြုနိုင်သည်။
သန့်စင်ခြင်းနည်းပညာ၏ အရည်အသွေးသည် အီလက်ထရွန်းနစ်အဆင့် ဟက်ဖ်နီယမ် တက်ထရာကလိုရိုက်၏ သန့်စင်မှုနှင့် အဆင့်ကို တိုက်ရိုက်အကျိုးသက်ရောက်စေသည်။ မကြာသေးမီနှစ်များအတွင်း တရုတ်နိုင်ငံရှိ အီလက်ထရွန်းနစ်အဆင့် ဟက်ဖ်နီယမ် တက်ထရာကလိုရိုက် သန့်စင်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်နှင့် ထုတ်လုပ်မှုပစ္စည်းကိရိယာများနှင့် ဆက်စပ်သော မူပိုင်ခွင့်အရေအတွက် တိုးပွားလာခဲ့ပြီး ၎င်းတွင် “အီလက်ထရွန်းနစ်အဆင့် ဟက်ဖ်နီယမ် တက်ထရာကလိုရိုက် ပြင်ဆင်သည့် ကိရိယာ” နှင့် “အီလက်ထရွန်းနစ်အဆင့် ဟက်ဖ်နီယမ် တက်ထရာကလိုရိုက်ကို သန့်စင်ရန် နည်းလမ်း” ပါဝင်သည်။
၂၀၂၅ ခုနှစ် မေလတွင် “အီလက်ထရွန်းနစ်အဆင့် ဟက်ဖ်နီယမ် တက်ထရာကလိုရိုက်အတွက် သန့်စင်နည်းလမ်း” အတွက် မူပိုင်ခွင့်ခွင့်ပြုချက်ကြေငြာချက် ထုတ်ပြန်ခဲ့သည်။ အစွမ်းမဲ့ဓာတ်ငွေ့၏ကာကွယ်မှုအောက်တွင်၊ ကုန်ကြမ်းဟက်ဖ်နီယမ် တက်ထရာကလိုရိုက်ကို ကွာ့ဇ်လှေထဲတွင်ထည့်ကာ ဖုန်စုပ်ခြင်း၊ အပူပေးခြင်း၊ sublimation သန့်စင်ခြင်းနှင့် အအေးခံခြင်းကဲ့သို့သော လုပ်ငန်းစဉ်များမှတစ်ဆင့် 5N နှင့် 6N သန့်စင်မှုရှိသော အီလက်ထရွန်းနစ်အဆင့် ဟက်ဖ်နီယမ် တက်ထရာကလိုရိုက်ထုတ်ကုန်များကို ရရှိနိုင်မည်ဖြစ်သည်။
တရုတ်ဈေးကွက်မှာ၊UrbanMines နည်းပညာ။Limited သည် အဓိကအားဖြင့် ≥99.9%၊ 99.95% နှင့် ≥99.99% သန့်စင်မှုများရှိသော အီလက်ထရွန်းနစ်အဆင့် ဟက်ဖ်နီယမ် တက်ထရာကလိုရိုက် ထုတ်ကုန်များကို သုတေသနပြုခြင်း၊ တီထွင်ခြင်းနှင့် ထောက်ပံ့ပေးခြင်းတို့ကို လုပ်ဆောင်ပါသည်။
Newthink မှ စက်မှုလုပ်ငန်း လေ့လာသုံးသပ်သူများက တရုတ်နိုင်ငံ၏ အီလက်ထရွန်းနစ်အဆင့် ဟက်ဖ်နီယမ် တက်ထရာကလိုရိုက် ထုတ်လုပ်မှုစွမ်းရည်သည် ဆက်လက်တိုးချဲ့နေဆဲဖြစ်သည်။ ၂၀၂၅ ခုနှစ် မေလတွင် တရုတ်နိုင်ငံ၏ အမျိုးသားပတ်ဝန်းကျင်ထိန်းသိမ်းရေးစီမံခန့်ခွဲရေးဌာနက “တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းအသစ်များ စမ်းသပ်စက်ရုံစီမံကိန်း” အတွက် ပတ်ဝန်းကျင်ဆိုင်ရာသက်ရောက်မှုအစီရင်ခံစာကို အတည်ပြုပြီး အများပြည်သူသိရှိစေရန် ထုတ်ပြန်မည်ဖြစ်ပြီး စက်မှုလုပ်ငန်းရှိ ထိပ်တန်းကုမ္ပဏီအချို့သည်လည်း အီလက်ထရွန်းနစ်အဆင့် ဟက်ဖ်နီယမ် တက်ထရာကလိုရိုက်ဈေးကွက်သို့ တက်ကြွစွာ တိုးချဲ့လျက်ရှိကြောင်း ထုတ်ဖော်ပြောကြားခဲ့သည်။