Semiconductor Silicon တော်လှန်ရေးကို ဖွင့်လှစ်ခြင်း- မြင့်မားသောသန့်စင်မှု 6N Crystal Boron Dopants တွင် တရုတ်နိုင်ငံ၏ အစွမ်းသတ္တိ
တိကျစွာထုတ်လုပ်ခြင်း၏ အထွတ်အထိပ်တွင်၊ တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းဆီလီကွန်၏ စွမ်းဆောင်ရည်တိုးတက်မှုတိုင်းသည် အက်တမ်အဆင့်တွင် တိကျသောထိန်းချုပ်မှုဖြင့် စတင်သည်။ ဤထိန်းချုပ်မှုကိုရရှိရန် အဓိကသော့ချက်မှာ အလွန်မြင့်မားသောသန့်စင်မှုရှိသော ပုံဆောင်ခဲဘိုရွန်ဒိုပန်များတွင် တည်ရှိသည်။ ကမ္ဘာလုံးဆိုင်ရာ ခေတ်မီအီလက်ထရွန်းနစ်လုပ်ငန်းအတွက် မရှိမဖြစ်အခြေခံပစ္စည်းတစ်ခုအနေဖြင့်၊ 6N ပုံဆောင်ခဲဘိုရွန် (သန့်စင်မှု ≥99.9999%) သည် ၎င်း၏ အစားထိုး၍မရသော ဂုဏ်သတ္တိများဖြင့် ခေတ်မီချစ်ပ်များနှင့် ပါဝါစက်ပစ္စည်းများကို ပုံဖော်ပေးသည့် "မမြင်ရသောဗိသုကာ" ဖြစ်လာခဲ့သည်။
ဘာကြောင့် 6N ဟာ ပုံဆောင်ခဲဖြစ်ရတာလဲဘိုရွန်တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း ဆီလီကွန်ရဲ့ “အသက်ကယ်ကြိုး” လား။
တိကျသော P-type “Switch”: 6N ဘိုရွန်အက်တမ်များကို တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း ဆီလီကွန်ကွက်တိပ်ထဲသို့ တိကျစွာထည့်သွင်းသောအခါ၊ ၎င်းတို့သည် ဆီလီကွန်ဝေဖာအား ၎င်း၏ P-type လျှပ်ကူးနိုင်စွမ်းကိုပေးသည့် အရေးကြီးသော “အပေါက်များ” ကို ဖန်တီးပေးသည်။ ၎င်းသည် ဒိုင်အိုဒိုက်များ၊ လယ်ကွင်းအကျိုးသက်ရောက်မှု ထရန်စစ္စတာများ (FETs) နှင့် ရှုပ်ထွေးသော ပေါင်းစပ်ဆားကစ်များ တည်ဆောက်ရန်အတွက်ပင် အခြေခံဖြစ်သည်။
စွမ်းဆောင်ရည်၏ အခြေခံအုတ်မြစ်- တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းများ၏ ထိရောက်မှု၊ တည်ငြိမ်မှုနှင့် switching speed တို့သည် doping ၏ တစ်ပြေးညီဖြစ်မှုနှင့် သန့်ရှင်းစင်ကြယ်မှုအပေါ် များစွာမူတည်ပါသည်။ မည်သည့် မသန့်စင်မှုများ (ကာဗွန်၊ အောက်ဆီဂျင်နှင့် သတ္တုဒြပ်စင်များကဲ့သို့) သည် သယ်ဆောင်သည့် ထောင်ချောက်များအဖြစ် လုပ်ဆောင်နိုင်ပြီး ယိုစိမ့်မှု လျှပ်စီးကြောင်း တိုးလာခြင်းနှင့် စက်ပစ္စည်း ချို့ယွင်းမှုများကို ဖြစ်စေနိုင်သည်။ 6N ဘိုရွန် ပုံဆောင်ခဲသည် မသန့်စင်မှုအဆင့်ကို ဘီလီယံတစ်ဘီလီယံ (ppb) အဆင့်အထိ ထိန်းချုပ်ပေးသောကြောင့် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း ဆီလီကွန် လျှပ်စစ်စွမ်းဆောင်ရည်၏ အဆုံးစွန်သော သန့်ရှင်းစင်ကြယ်မှုနှင့် ယုံကြည်စိတ်ချရမှုကို သေချာစေသည်။
အပူချိန်မြင့်မားသော လုပ်ငန်းစဉ်များ၏ ကာကွယ်စောင့်ရှောက်သူ- ၂၃၀၀°C အထက် အရည်ပျော်မှတ်ဖြင့် ပုံဆောင်ခဲဘိုရွန်သည် ထူးကဲသော အပူတည်ငြိမ်မှုရှိသည်။ ဆီလီကွန်တစ်ခုတည်းသော ပုံဆောင်ခဲကြီးထွားမှု (Czochralski နည်းလမ်း) သို့မဟုတ် အပူချိန်မြင့်မားစွာ ပျံ့နှံ့မှု/အိုင်းယွန်းထည့်သွင်း အပူပေးစနစ်ကဲ့သို့သော လိုအပ်ချက်များသော လုပ်ငန်းစဉ်များတွင် 6N ပုံဆောင်ခဲဘိုရွန်သည် မမျှော်လင့်ထားသော ပေါက်ကွဲစေတတ်သောပစ္စည်းများ သို့မဟုတ် ပြိုကွဲမှုထုတ်ကုန်များကို မထည့်သွင်းဘဲ ဖွဲ့စည်းတည်ဆောက်ပုံတည်ငြိမ်မှုကို ထိန်းသိမ်းထားပြီး လုပ်ငန်းစဉ်ထိန်းချုပ်နိုင်စွမ်းနှင့် ထပ်ခါတလဲလဲလုပ်ဆောင်နိုင်စွမ်းကို သေချာစေသည်။
ခေတ်မီကမ္ဘာလုံးဆိုင်ရာအသုံးချမှုများတွင် သက်သေပြခဲ့သည်- ကိုရီးယားနှင့် ဂျပန်ဖောက်သည်များအတွက် ယုံကြည်စိတ်ချရသောရွေးချယ်မှုတစ်ခု
Case 1 (တောင်ကိုရီးယား semiconductor silicon wafer ထုတ်လုပ်သူ): UrbanMines ' 6N boron အမှုန့် (99.9999% သန့်ရှင်းစင်ကြယ်မှု၊ 2-3 မီလီမီတာ အမှုန်အရွယ်အစား) ကို Czochralski single crystal မီးဖိုတွင် အဓိက dopant အဖြစ် အသုံးပြုခဲ့ပြီး အဆင့်မြင့် logic chip များထုတ်လုပ်ရန်အတွက် သတ်မှတ်ထားသော resistivity range ရှိသော အရည်အသွေးမြင့် P-type semiconductor silicon ingots များကို စိုက်ပျိုးခဲ့သည်။
Case 2 (ဂျပန် silicon epitaxial wafer/device ထုတ်လုပ်သူ): UrbanMines သည် 6N သန့်စင်သော boron dopant (သန့်စင်မှု 99.9999%၊ အမှုန်အရွယ်အစား -4+40 mesh) ဝယ်ယူရန် သတ်မှတ်ခံခဲ့ရသည်။ ဤ dopant ကို epitaxial ကြီးထွားမှု သို့မဟုတ် အပူချိန်မြင့် ပျံ့နှံ့မှုလုပ်ငန်းစဉ်များတွင် အသုံးပြုပြီး semiconductor silicon epitaxial layer သို့မဟုတ် junction region ရှိ boron ပါဝင်မှု ဖြန့်ဖြူးမှုကို တိကျစွာ ထိန်းချုပ်ပေးပြီး high-voltage power devices များ (IGBT များကဲ့သို့) ၏ တင်းကျပ်သော လိုအပ်ချက်များနှင့် ကိုက်ညီစေသည်။
တရုတ်နိုင်ငံထောက်ပံ့ရေး- 6N ပုံဆောင်ခဲဘိုရွန်၏ မဟာဗျူဟာမြောက်အားသာချက်များ
တောင်ကိုရီးယား၊ ဂျပန်နှင့် အမေရိကန်ပြည်ထောင်စုကဲ့သို့သော ကမ္ဘာလုံးဆိုင်ရာ semiconductor core ဒေသများမှ တိုးပွားလာသော high-end demand ကို ရင်ဆိုင်ရင်း၊ ကျွန်ုပ်တို့၏ကုမ္ပဏီသည် မြင့်မားသောသန့်စင်မှုရှိသော boron ပစ္စည်းနယ်ပယ်တွင် သိသာထင်ရှားသော ထုတ်လုပ်မှုနှင့် ထောက်ပံ့မှုအားသာချက်များကို ထူထောင်ထားသည်-
၁။ နည်းပညာဆိုင်ရာ တိုးတက်မှုများနှင့် စီးပွားရေးအရ အကျိုးအမြတ်များ- စဉ်ဆက်မပြတ် သုတေသနနှင့် ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုများမှတစ်ဆင့် ကျွန်ုပ်တို့၏ ကုမ္ပဏီသည် မြင့်မားသော သန့်ရှင်းစင်ကြယ်မှု β-rhombohedral boron (အတည်ငြိမ်ဆုံးပုံစံ) အတွက် ကြီးမားသော ထုတ်လုပ်မှုလုပ်ငန်းစဉ်ကို ကျွမ်းကျင်စွာ ကျွမ်းကျင်စွာ လုပ်ဆောင်နိုင်ခဲ့သည်။ ၎င်းက ၉၉% မှ ၆N (၉၉.၉၉၉၉%) နှင့် ထို့ထက်ပို၍ပင် သန့်ရှင်းစင်ကြယ်မှုအဆင့် အပြည့်အစုံကို ကျွန်ုပ်တို့ ပေးဆောင်နိုင်စေပါသည်။ ကျွန်ုပ်တို့၏ တည်ငြိမ်သော ထုတ်လုပ်မှုစွမ်းရည်သည် အဓိကကမ္ဘာလုံးဆိုင်ရာ ဖောက်သည်များထံမှ ကြီးမားသော မှာယူမှုများကို ဖြည့်ဆည်းပေးနိုင်စေပါသည် (နေရောင်ခြည်စွမ်းအင်သုံး အသုံးချမှုများအတွက် amorphous boron ၅၀ ကီလိုဂရမ်အတွက် ကျွန်ုပ်တို့၏ လစဉ်ဝယ်လိုအားက သရုပ်ပြသည့်အတိုင်း)။
၂။ တင်းကျပ်သော အရည်အသွေးထိန်းချုပ်မှုစနစ်- နိုင်ငံတကာ တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းအဆင့် စံနှုန်းများနှင့် နှိုင်းယှဉ်ထားသောကြောင့်၊ ကျွန်ုပ်တို့သည် လုပ်ငန်းစဉ်တစ်ခုလုံးအတွက် အလွန်သန့်ရှင်းသော စီမံခန့်ခွဲမှုနှင့် ထိန်းချုပ်ရေးစနစ်ကို တည်ထောင်ထားပြီး၊ ကုန်ကြမ်းစစ်ဆေးခြင်း၊ ဓာတ်ပြုမှုပေါင်းစပ်ခြင်း၊ သန့်စင်ခြင်းနှင့် သန့်စင်ခြင်း (ဒေသတွင်း အရည်ပျော်ခြင်းနှင့် လေဟာနယ်ပေါင်းခံခြင်းကဲ့သို့)၊ ကြိတ်ခွဲခြင်းနှင့် အဆင့်သတ်မှတ်ခြင်းနှင့် ထုပ်ပိုးခြင်းတို့ကို လွှမ်းခြုံထားသည်။ ၎င်းက 6N ဘိုရွန်ပုံဆောင်ခဲအသုတ်တစ်ခုစီတွင် ခြေရာခံနိုင်သော ကောင်းမွန်သော መልእክትရှိကြောင်း သေချာစေသည်။
၃။ နက်ရှိုင်းသော စိတ်ကြိုက်ပြင်ဆင်နိုင်စွမ်းများ- ကျွန်ုပ်တို့၏ကုမ္ပဏီသည် ဘိုရွန်ပုံစံ (အမှုန်များ၊ အမှုန့်များ) နှင့် အမှုန်အရွယ်အစား (ဥပမာ၊ D50 ≤ 10μm၊ -200 mesh၊ 1-10mm၊ 2-4μm၊ စသည်) အတွက် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းလုပ်ငန်းစဉ်များ၏ တိကျသောလိုအပ်ချက်များကို နက်နက်ရှိုင်းရှိုင်းနားလည်ပါသည်။ စာရွက်စာတမ်းတွင်ဖော်ပြထားသည့်အတိုင်း “သတ်မှတ်ထားသော အမှုန်အရွယ်အစားလိုအပ်ချက်များ ပြည့်မီပါက စိတ်ကြိုက်ထုတ်လုပ်မှုလည်း ဖြစ်နိုင်သည်။” ဤပြောင်းလွယ်ပြင်လွယ်တုံ့ပြန်မှုသည် တောင်ကိုရီးယား၊ ဂျပန်နှင့် အခြားနိုင်ငံများတွင် အဆင့်မြင့်ဖောက်သည်များရရှိရန် အဓိကသော့ချက်ဖြစ်သည်။
၄။ စက်မှုကွင်းဆက်ပူးပေါင်းဆောင်ရွက်မှုနှင့် ကုန်ကျစရိတ်အားသာချက်များ- ပြည့်စုံသော ပြည်တွင်းစက်မှုလုပ်ငန်းစနစ်နှင့် ကုန်ကြမ်းအရင်းအမြစ်များကို အသုံးချခြင်းဖြင့် ကျွန်ုပ်တို့၏ 6N ပုံဆောင်ခဲဘိုရွန်သည် ထိပ်တန်းအရည်အသွေးကို သေချာစေရုံသာမက သာလွန်ကောင်းမွန်သော ထောက်ပံ့ရေးကွင်းဆက်ခံနိုင်ရည်ရှိမှုနှင့် ပြည့်စုံသော ကုန်ကျစရိတ်ယှဉ်ပြိုင်နိုင်စွမ်းကိုလည်း ကြွားဝါပြီး ကမ္ဘာလုံးဆိုင်ရာ တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုတ်လုပ်ရေးလုပ်ငန်းအတွက် တည်ငြိမ်၊ ယုံကြည်စိတ်ချရပြီး ကုန်ကျစရိတ်သက်သာသော အဓိကပစ္စည်းပံ့ပိုးမှုကို ပေးစွမ်းပါသည်။
နိဂုံးချုပ်- တရုတ်နိုင်ငံ၏ ဘိုရွန်ပစ္စည်းများသည် အနာဂတ်ချစ်ပ်များကို အားကောင်းစေရာတွင် ဦးဆောင်နေပါသည်။
စမတ်ဖုန်းများ၏ အဓိကပရိုဆက်ဆာများမှသည် စွမ်းအင်သစ်ယာဉ်များ၏ “ဦးနှောက်” ကို စွမ်းအားပေးသည့် ပါဝါချစ်ပ်များအထိ၊ တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းဆီလီကွန်၏ စွမ်းဆောင်ရည်နယ်နိမိတ်များကို 6N ပုံဆောင်ခဲဘိုရွန်ဒိုပန်များ၏ သန့်စင်မှုနှင့် တိကျမှုဖြင့် ဆက်လက်သတ်မှတ်သည်။ တရုတ်နိုင်ငံ၏ မြင့်မားသောသန့်စင်မှုဘိုရွန်လုပ်ငန်းသည် ၎င်း၏ခိုင်မာသောနည်းပညာကျွမ်းကျင်မှု၊ တင်းကျပ်သောအရည်အသွေးထိန်းချုပ်မှု၊ ပြောင်းလွယ်ပြင်လွယ်စိတ်ကြိုက်ပြင်ဆင်နိုင်စွမ်းနှင့် ခိုင်မာသောထုတ်လုပ်မှုစွမ်းရည်တို့ဖြင့် ကမ္ဘာလုံးဆိုင်ရာတစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းဆန်းသစ်တီထွင်မှု၏ အဓိကမောင်းနှင်အားဖြစ်လာနေသည်။
ယုံကြည်စိတ်ချရသော တရုတ်နိုင်ငံမှ 6N ဘိုရွန်ပုံဆောင်ခဲ ပေးသွင်းသူကို ရွေးချယ်ခြင်းသည် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း ဆီလီကွန်၏ အနာဂတ်သို့ ရှင်းလင်းသောလမ်းကြောင်းကို ရွေးချယ်ခြင်းပင်ဖြစ်သည်။ သန့်စင်မှုမြင့်မားသော ဘိုရွန်နယ်ပယ်တွင် နက်ရှိုင်းစွာ ပါဝင်ပတ်သက်နေသော၊ ကျွန်ုပ်တို့သည် အလိုအပ်ဆုံး တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း အသုံးချမှုများကို ဖြည့်ဆည်းရန် ထုတ်လုပ်မှုစွမ်းရည်များနှင့် စိတ်ကြိုက်ဖြေရှင်းချက်များကို ပိုင်ဆိုင်ထားပါသည်။ သင်၏ ခေတ်မီ တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း ဆီလီကွန် စက်ပစ္စည်းများထဲသို့ အစွမ်းထက်ပြီး တိကျသော တရုတ်ဘိုရွန်စွမ်းအားကို ထိုးသွင်းရန် ယနေ့ပင် ကျွန်ုပ်တို့ထံ ဆက်သွယ်လိုက်ပါ။