Vekirina Şoreşa Sîlîkona Nîvconductor: Hêza Çînê di Dopantên Boronê yên Krîstal ên 6N yên Paqijiya Bilind de
Di lûtkeya çêkirina rast de, her gaveke performansê di silîkona nîvconductor de bi kontrola rast di asta atomî de dest pê dike. Mifteya bidestxistina vê kontrolê di dopantên boronê yên krîstalî yên paqijiya ultra bilind de ye. Wekî materyalek bingehîn a neçar ji bo pîşesaziya elektronîk a pêşkeftî ya cîhanî, boronê krîstalî yê 6N (paqijî ≥99.9999%), bi taybetmendiyên xwe yên neguhêrbar, bûye "mîmarê nedîtî" ku çîp û cîhazên hêzê yên nûjen şekil dide.
Çima 6N krîstalî yebor"xeta jiyanê" ya silîkona nîvconductor?
"Guhêrbar" a Rast a Tîpa P: Dema ku atomên borê yên 6N bi awayekî rast têne danîn nav tora silîkonê ya nîvconductor, ew "qulên" girîng çêdikin ku rê didin wafera silîkonê guhêzbariya Tîpa P. Ev bingeha çêkirina dîyodan, tranzîstorên bandora zeviyê (FET), û tewra çerxên entegre yên tevlihev e.
Bingeha performansê: Karîgerî, aramî û leza guheztina cîhazên nîvconductor bi awayekî girîng bi yekrengî û paqijiya dopingê ve girêdayî ye. Her nepakiyên şopîner (wek karbon, oksîjen û hêmanên metalî) dikarin wekî dafikên hilgir tevbigerin, ku dibe sedema zêdebûna herikîna rijandinê û têkçûna cîhazê. Krîstala boronê ya 6N asta nepakiyan heya asta beşên-ser-mîlyon (ppb) kontrol dike, paqijiya dawîn û pêbaweriya performansa elektrîkê ya silîkona nîvconductor misoger dike.
Parêzvanê pêvajoyên germahiya bilind: Bi xala helandinê ya li jor 2300°C, bora krîstalî xwedî aramiya germî ya awarte ye. Di pêvajoyên dijwar de wekî mezinbûna krîstala yekane ya silîkonê (rêbaza Czochralski) an jî germkirina belavbûna germahiya bilind/çandina îyonê, bora krîstalî ya 6N aramiya avahîsaziyê bêyî ku madeyên neçaverêkirî an berhemên hilweşandinê bîne, diparêze, û kontrolkirin û dubarekirina pêvajoyê misoger dike.
Di sepanên gerdûnî yên pêşkeftî de îsbatkirî: Hilbijartinek pêbawer ji bo xerîdarên Koreyî û Japonî
Doza 1 (Hilberînerê waflên silîkonê yên nîvconductor ên Koreya Başûr): Toza borê ya 6N ya UrbanMines (paqijiya 99.9999%, mezinahiya perçeyan 2-3 mm) wekî dopantek sereke di firneya krîstala yekane ya Czochralski de hate bikar anîn da ku îngotên silîkonê yên nîvconductor ên celebê P yên bi kalîte bilind bi rêzek berxwedanê ya taybetî ji bo çêkirina çîpên mantiqî yên pêşkeftî mezin bibin.
Doza 2 (hilberînerê wafer/amûrên epitaksiyal ên silîkonê yên Japonî): UrbanMines ji bo kirîna dopantê borê yê paqij ê 6N (paqijî 99.9999%, mezinahiya perçeyan -4+40 mesh) hate destnîşankirin. Ev dopant di pêvajoyên mezinbûna epitaksiyal an belavbûna germahiya bilind de tê bikar anîn da ku belavbûna konsantrasyona borê di qata epitaksiyal a silîkonê ya nîvconductor an herêma girêdanê de bi awayekî rast were kontrol kirin, û pêdiviyên hişk ên amûrên hêzê yên voltaja bilind (wek IGBT) bicîh bîne.
Pêşkêşkirina Çînê: Avantajên Stratejîk ên Borona Krîstal a 6N
Li hember daxwaza zêde ya ji herêmên sereke yên nîvconductor ên cîhanî yên wekî Koreya Başûr, Japonya û Dewletên Yekbûyî yên Amerîkayê ya li ser cîhazên bilind, şîrketa me di warê materyalên boronê yên paqijiya bilind de avantajên hilberîn û dabînkirinê yên girîng bi dest xistiye:
1. Pêşketinên teknolojîk û aboriya pîvanê: Bi rêya lêkolîn û pêşkeftina domdar, pargîdaniya me pêvajoya hilberîna di pîvana mezin de ji bo bora β-rombohedral a paqijiya bilind (forma herî stabîl) bi dest xistiye. Ev dihêle ku em rêzek tevahî ji astên paqijiyê pêşkêş bikin, ji %99 heta 6N (%99.9999) û hêj bilindtir. Kapasîteya me ya hilberînê ya stabîl dihêle ku em fermanên mezin ji xerîdarên sereke yên cîhanî bicîh bînin (wekî ku daxwaza me ya mehane ya ji bo 50 kg bora amorf ji bo sepanên rojê nîşan dide).
2. Sîstema kontrolkirina kalîteyê ya hişk: Li gorî standardên navneteweyî yên asta nîvconductor, me ji bo tevahiya pêvajoyê pergalek rêveberî û kontrolê ya pir paqij ava kiriye, ku ceribandina madeya xav, senteza reaksiyonê, paqijkirin û rafinerkirinê (wek helandina herêmî û distilasyona valahiyê), perçiqandin û rêzkirin, û pakkirinê vedihewîne. Ev yek piştrast dike ku her komek krîstalên boronê yên 6N xwedî qalindahiyek şopandinê ya hêja ye.
3. Kapasîteyên Xweserkirina Kûr: Şîrketa me bi kûrahî hewcedariyên rastîn ên pêvajoyên nîvconductor ji bo forma boronê (granul, toz) û mezinahiya perçeyan (mînak, D50 ≤ 10μm, -200 mesh, 1-10mm, 2-4μm, hwd.) fam dike. Wekî ku di belgeyê de hatiye diyarkirin, "hilberîna xwerû jî mimkun e ger hewcedariyên taybetî yên mezinahiya perçeyan werin bicîhanîn." Ev bersivdayîna nerm ji bo qezenckirina xerîdarên asta bilind li Koreya Başûr, Japonya û welatên din mifteya sereke ye.
4. Hevkariya Zincîra Pîşesaziyê û Avantajên Mesrefê: Bi karanîna pergalek pîşesaziya navxweyî ya berfireh û çavkaniyên madeyên xav, bora me ya krîstalî ya 6N ne tenê kalîteya asta jorîn misoger dike, lê di heman demê de berxwedana zincîra dabînkirinê ya bilind û pêşbaziya lêçûnê ya berfireh jî pesnê xwe dide, û piştgiriyek materyalên sereke ya domdar, pêbawer û lêçûn-bandor ji bo pîşesaziya hilberîna nîvconductor a cîhanî peyda dike.
Encam: Materyalên boron ên Çînê di bihêzkirina çîpên pêşerojê de pêşengiyê dikin.
Ji pêvajoyên bingehîn ên telefonên jîr bigire heya çîpên hêzê yên ku "mejiyê" wesayîtên nû yên enerjiyê dixebitînin, sînorên performansa silîkona nîvconductor bi paqijî û rastbûna dopantên boronê yên krîstalî yên 6N ve têne destnîşankirin. Pîşesaziya boronê ya paqijiya bilind a Çînê, bi pisporiya xwe ya teknolojîk a zexm, kontrola kalîteyê ya hişk, şiyanên xwerûkirina nerm û kapasîteya hilberînê ya xurt, dibe ajokerek sereke ya nûjeniya nîvconductor a cîhanî.
Hilbijartina dabînkerê krîstala boronê ya Çînî ya pêbawer tê wateya hilbijartina rêyek zelal ji bo pêşeroja silîkona nîvconductor. Em bi kûrahî di warê boronê paqijiya bilind de mijûl in, û xwedî şiyanên hilberînê û çareseriyên xwerû ne ku serîlêdanên nîvconductor ên herî dijwar bicîh bînin. Ji bo ku hûn hêza boronê ya Çînî ya bihêz û rast têxin nav cîhazên xwe yên silîkona nîvconductor ên pêşkeftî, îro bi me re têkilî daynin!