O loʻo faʻateleina pea le telē o le maketi ma le gafatia e gaosia ai le hafnium tetrachloride vasega eletise i Saina.
Na Fa'alauiloa le Nofoaga Autu mo Su'esu'ega o Alamanuia Mafaufauga Fou a Saina ia Mati 5, 2026
O le hafnium tetrachloride vasega eletise e faasino i le hafnium tetrachloride e maualuga le mama ma le mama e 99.95% pe maualuga atu.
Hafnium tetrachloride, faatasi ai ma le fua fa'amolekiHfCl4ma o le mamafa molekiula e 320.302, o se pauta paʻepaʻe tioata. E 'a'ai ma e mafai ona mu ai mata ma le pa'u. E fa'aita fo'i le faiga manava. E 320°C lona tulaga liusuavai ma e mafai ona fa'asusu. E faigofie ona liusuavai i vaila'au fa'aola e pei o le methanol ma le acetone. E tali atu i le vai e fa'asa'oloto ai kasa oona. E hygroscopic ma e faigofie ona pala pe a fa'aalia i le ea ma e tatau ona teuina i totonu o se pusa ua fa'amaufa'ailogaina.
"2025 Suʻesuʻega Faapitoa o le Maketi o le Hafnium Tetrachloride Vasega Eletise Saina ma le '15th Five-Year Plan' Fautuaga Report" na faʻasalalau e le New Thinking Industry Research Center, o le hafnium tetrachloride vasega eletise e faʻaaogaina tele i le alamanuia semiconductor o se mea muamua i le semiconductor. E teuina ma totoina o ni ata manifinifi e faʻavae i le hafnium e faʻaaoga ai faiga e pei o le atomic layer deposition (ALD) ma le chemical vapor deposition (CVD). O ata manifinifi e faʻavae i le hafnium e maualuga le dielectric constant, ma avea ai ma se tasi o mea autu mo le gaosia o le gate dielectric layer o le isi tupulaga laiti, transistors maualuga le faʻatinoga. E mafai e le hafnium tetrachloride vasega eletise ona faʻafetaui le aga masani o le faʻaitiitia pea o faiga gaosiga o chip, ma o loʻo faʻalauteleina pea lona avanoa maketi. E le gata i lea, ona o ona meatotino opitika lelei, meatotino faʻainisinia, ma le mautu o le vevela, e mafai foi ona faʻaaogaina le hafnium tetrachloride vasega eletise i le gaosiga o ata manifinifi opitika, LED maualuga le malosi, masini optoelectronic e latalata i le infrared, ma keramika vevela maualuga.
O le lelei o tekinolosi fa'amamāina e a'afia sa'o ai le mama ma le tulaga o le hafnium tetrachloride vasega eletise. I tausaga talu ai nei, o le aofa'i o pateni e feso'ota'i ma le fa'agasologa o le fa'amamāina ma masini gaosiga o le hafnium tetrachloride vasega eletise i Saina ua fa'atupula'ia, e aofia ai le "masini mo le sauniaina o le hafnium tetrachloride vasega eletise" ma le "metotia mo le fa'amamāina o le hafnium tetrachloride vasega eletise".
Ia Me 2025, na faia ai se faasilasilaga o le faatagaga pateni mo le "auala faamamāina mo le hafnium tetrachloride vasega eletise". I lalo o le puipuiga o le kasa inert, e tuu ai le hafnium tetrachloride mata i totonu o se vaa kuata, ma e ala i faiga e pei o le faamamaina o le masini, faavevela, faamamāina o le sublimation, ma le aoina o le faamaluluina, e mafai ona maua ai oloa hafnium tetrachloride vasega eletise e mama o le 5N ma le 6N.
I le maketi Saina,Tekonolosi a le UrbanMines.O le tele lava o galuega a le Limited o le suʻesuʻeina, atinaʻeina, ma le sapalaiina o oloa hafnium tetrachloride e faʻaaogaina i le eletise ma le mama e ≥99.9%, 99.95%, ma le ≥99.99%.
O le au suʻesuʻe pisinisi i Newthink, o loʻo faʻalauteleina pea le gafatia o le gaosiga o le hafnium tetrachloride eletise a Saina. Ia Me 2025, na faʻailoa mai ai e le Pulega o le Puipuiga o le Siosiomaga a Saina o le lipoti o aʻafiaga tau siʻosiʻomaga mo le "Semiconductor New Materials Pilot Plant Project" o le a faʻamaonia ma faʻasalalauina, ma o nisi o kamupani taʻimua i le pisinisi o loʻo faʻalauteleina foʻi i le maketi o le hafnium tetrachloride eletise.