D'Maartgréisst an d'Produktiounskapazitéit vun Hafniumtetrachlorid fir elektronesch Zwecker a China wiisst stänneg.
China New Thinking Industry Research Center Verëffentlecht de 5. Mäerz 2026
Hafniumtetrachlorid vun elektronescher Qualitéit bezitt sech op Hafniumtetrachlorid mat héijer Reinheet mat enger Rengheet vun 99,95% oder méi.
Hafniumtetrachlorid, mat der molekularer FormelHfCl4an e Molekulargewiicht vun 320,302, ass e wäisst kristallint Pulver. Et ass korrosiv a kann d'Aen an d'Haut verbrennen. Et ass och irritéierend fir d'Atmungssystem. Et huet e Schmelzpunkt vun 320 °C a ka subliméieren. Et ass liicht léislech an organesche Léisungsmëttel wéi Methanol an Aceton. Et reagéiert mat Waasser fir gëfteg Gase fräizesetzen. Et ass hygroskopesch an zersetzt sech liicht wann et der Loft ausgesat ass a muss an engem zouene Behälter gelagert ginn.
Laut dem "2025 China Electronic Grade Hafnium Tetrachloride Market Special Survey and Enterprise '15th Five-Year Plan' Suggestion Report", deen vum New Thinking Industry Research Center publizéiert gouf, gëtt Hafnium Tetrachlorid vun elektronescher Qualitéit haaptsächlech an der Hallefleederindustrie als Hallefleeder-Virleefermaterial benotzt. Et gëtt ofgesat a als Hafnium-baséiert Dënnschichten mat Prozesser wéi Atomschichtoflagerung (ALD) a chemescher Dampfoflagerung (CVD) ugebaut. Hafnium-baséiert Dënnschichten hunn eng héich dielektresch Konstant, wat se zu engem vun de Schlësselmaterialien fir d'Fabrikatioun vun der Gate-Dielektrikschicht vun den nächste Generatiounstransistoren mat klenger Gréisst an héijer Leeschtung mécht. Hafnium Tetrachlorid vun elektronescher Qualitéit kann dem Entwécklungstrend vun de kontinuéierlech schrumpfende Chip-Fabrikatiounsprozesser gerecht ginn, a säi Maart wiisst stänneg. Zousätzlech kann Hafnium Tetrachlorid vun elektronescher Qualitéit wéinst senge exzellenten opteschen Eegeschaften, mechaneschen Eegeschaften a thermescher Stabilitéit och an der Fabrikatioun vun opteschen Dënnschichten, Héichleistungs-LEDs, noen Infrarout-optoelektroneschen Apparater a Keramik mat ultrahéijer Temperatur benotzt ginn.
D'Qualitéit vun der Reinigungstechnologie beaflosst direkt d'Reinheet an de Grad vum Hafniumtetrachlorid vun elektronescher Qualitéit. An de leschte Joren ass d'Zuel vu Patenter am Zesummenhang mam Reinigungsprozess an der Produktiounsausrüstung vum Hafniumtetrachlorid vun elektronescher Qualitéit a China zougeholl, dorënner "en Apparat fir d'Virbereedung vun Hafniumtetrachlorid vun elektronescher Qualitéit" an "eng Method fir d'Reinigung vun Hafniumtetrachlorid vun elektronescher Qualitéit".
Am Mee 2025 gouf eng Patentautorisatioun fir "eng Reinigungsmethod fir Hafniumtetrachlorid vun elektronescher Qualitéit" ugekënnegt. Ënnert dem Schutz vun engem Inertgas gëtt réie Hafniumtetrachlorid an e Quarzboot placéiert, an duerch Prozesser wéi Staubsaugen, Erhëtzen, Sublimatiounsreinigung a Killkollektioun kënnen Hafniumtetrachloridprodukter vun elektronescher Qualitéit mat enger Rengheet vu 5N an 6N kritt ginn.
Um chinesesche Maart,UrbanMines Tech.Limited fuerscht, entwéckelt a liwwert haaptsächlech Hafniumtetrachlorid-Produkter fir elektronesch Zwecker mat enger Reinheet vun ≥99,9%, 99,95% an ≥99,99%.
Industrieanalysten vun Newthink soen, datt d'Produktiounskapazitéit vun Hafniumtetrachlorid fir elektronesch Produkter a China weiderhi wiisst. Am Mee 2025 huet d'National Environmental Protection Administration vu China bekannt ginn, datt den Ëmweltimpaktbericht fir de "Semiconductor New Materials Pilot Plant Project" guttgeheescht a publizéiert soll ginn, an e puer féierend Firmen an der Industrie expandéieren och aktiv op de Maart fir Hafniumtetrachlorid fir elektronesch Produkter.