6

Borkarbid verursaacht e revolutionären Duerchbroch

Funkenplasmasinterung vu Borkarbid: E revolutionäre Duerchbroch an der "schwaarzer Technologie" am traditionelle Sintern.
Am Beräich vun der Materialwëssenschaft,Borkarbid (B4C), bekannt als "schwaarzen Diamant" wéinst senger héijer Häert, gerénger Dicht, Verschleißbeständegkeet a Neutronenabsorptiounskapazitéit, gëtt wäit verbreet an High-End-Beräicher wéi Kugelsécherheetsrüstung, Nuklearindustrie a Loftfaart benotzt. Wéi och ëmmer, traditionell Sinterprozesser (wéi drocklos Sintern a Waarmpress-Sintern) stinn op Erausfuerderungen wéi héije Sintertemperaturen, laang Sinterzäiten an einfach Kärevergréisserung, wat weider Verbesserungen vun der Borcarbid-Leeschtung limitéieren. An de leschte Joren ass d'Spark Plasma Sintering (SPS) Technologie, mat hirer gerénger Temperatur, schneller Geschwindegkeet an héijer Effizienz, zu engem waarme Fuerschungsgebitt fir Borcarbid ginn, wat d'Applikatiounsgrenze vun dësem superharte Material nei geformt huet.

I. SPS Technologie: E revolutionärt neit Paradigma fir d'Sintern

D'SPS-Technologie erreecht eng séier Verdichtung vu Borkarbid duerch den synergisteschen Effekt vu gepulstem Stroum, mechaneschen Drock an thermeschem Feld. Säi Kärprinzip läit an:

Plasmaaktivéierung: Gepulste Stroum generéiert direkt Héichtemperaturplasma an de Lücken tëscht de Partikelen, wouduerch Uewerflächenoxide ewechgeholl ginn an d'Atomdiffusioun gefördert gëtt.

Joule-Erhëtzung an Temperaturgradient: Den elektresche Stroum generéiert Joule-Erhëtzung duerch d'Grafitform, an d'Temperatur klëmmt séier (bis zu 600 ℃/min), wouduerch en Temperaturgradient entsteet, deen d'Verdichtung beschleunegt an de Kärwuesstum hemmt.

Diffusioun mat Hëllef vum elektresche Feld: Den elektresche Feld senkt d'Sinteraktivéierungsenergie, wouduerch Borcarbid eng héich Dicht (>95%) bei 1700-2100 ℃ erreecht, wat 300-500 ℃ méi niddreg ass wéi beim traditionelle Prozess.

Am Verglach mat traditionellem Sinteren huet Borkarbid, dat mat SPS preparéiert gëtt, méi fein Kären (Nano- bis Mikrometerskala) a besser mechanesch Eegeschaften. Zum Beispill gëtt bei 1600 ℃ an engem héijen Drock vun 300 MPa d'Bruchstäerkt vum mat SPS preparéierte Borkarbid op 5,56 MPa・m¹/² erhéicht, an d'dynamesch Stäerkt gëtt däitlech verbessert.

II. Technologeschen Duerchbroch: De Schlësselsprung vum Laboratoire zur Industrialiséierung

1. Parameteroptimiséierung a Mikrostrukturkontroll

Synergie tëscht Temperatur a Drock: Fuerschung huet festgestallt, datt bei niddregen Temperaturen (1700-2000 ℃) d'Grenzrutschen vun de Partikelen haaptsächlech zu enger Verdichtung féiert, während bei héijen Temperaturen (>2000 ℃) d'Dislokatiounssteigerung dominant ass. Duerch d'präzis Kontroll vun der Heizgeschwindegkeet an dem Drock kann d'Käregréisst präzis vu 4 μm bis op d'Nanometerskala kontrolléiert ginn.

Innovativ Uwendungen vu Sinterhëllefsmëttelen: D'Zousätzlech vun Zousätz wéi Al, SiC a Graphen kënnen d'Leeschtung weider optimiséieren. Zum Beispill weisen B4C/SiC/Al Multiphase-Keramik mat 1,5% Graphen (GPLs) eng Erhéijung vun 25,6% vun der Bruchsehegkeet an eng Erhéijung vun 99% vun der Biegefestigkeit.

2. Een-Schrëtt-Fabrikatioun vu funktionell graduéierte Materialien

D'Napo Materials Team huet fir d'éischt Kéier eng Een-Schrëtt-Sinterung vu funktionell graduéierte B4C/Al Materialien mat Hëllef vun der SPS Technologie erreecht. Dëst Material erreecht en gradienten Iwwergang vu purem B4C (Häert 32 GPa) op purem Al (Häert 1 GPa), wouduerch d'Problemer vun de groussen Schmelzpunktënnerscheeder an der einfacher Bildung vun Ongereinheetsphasen an traditionelle Prozesser erfollegräich geléist ginn, wat nei Iddien fir kugelsicher Panzerung a Kompositmaterialien mat héijer thermescher Leetfäegkeet bitt.

3. Leeschtungsduerchbroch an extremen Ëmfeld

An der Nuklearindustrie erreechen SPS-virbereet B4C Neutronenabsorber eng Rengheet vun 99,9%, weisen eng exzellent Stralungsbeständegkeet a Käschte fir d'Entsuergung vun Offall, déi nëmmen ee Fënneftel vun deene vun traditionelle Materialien op Cadmiumbasis sinn. An der Loftfaartindustrie reduzéieren Borcarbid/Aluminium-Kompositmaterialien d'Gewiicht vun de Schutzplacke vun den Turbofanmotoren ëm 40% a verbesseren de Brennstoffverbrauch ëm 2,3%.

 

Borkarbid Borkarbid Borkarbid

 

III. Industrieaussichten: En neie bloen Ozean an engem Billioune-Dollar-Maart

1. Applikatioune floréieren an alle Beräicher.

Verdeedegungs- a Militärindustrie: Den Osprey Transportfliger vum US-Militär benotzt B4C-Kompositpanzerung, déi d'Gewiicht ëm 40% reduzéiert a bessere Schutz bitt wéi traditionell Stolpanzerung.

Hallefleiter an Elektronik: Borkarbid-Wafer-Stufenflaachheetsfehler < 1μm, wat den ultra-héijen Präzisiounsufuerderunge vun EUV-Lithographiemaschinnen entsprécht. D'Niddregtemperatur-Sintertechnologie vu Zhihe New Materials reduzéiert d'B4C-Sintertemperatur op 1950 ℃, wat seng Uwendung am Beräich vun de Halbleiter-Polierpads fördert.

Nei Energie- a Ëmweltschutz: Borkarbiddüsen verlängeren d'Liewensdauer vun Héichdrock-Sandstrahlgeräter vun 3 Méint op 2 Joer, wouduerch d'Ënnerhaltskäschten ëm 80% reduzéiert ginn. Hir Uwendung an der Nuklearenergie, Solarzellen an anere Beräicher wiisst och séier.

2. Maartgréisst a Politikdividenden

De globale Borkarbidmaart soll vun 180 Milliounen Dollar am Joer 2025 op 320 Milliounen Dollar am Joer 2030 wuessen, wat engem duerchschnëttleche Wuesstemsquote (CAGR) vun 9,5% entsprécht. Als weltgréisste Produzent erniert sech China duerch politesch Ënnerstëtzung an technologesch Duerchbréch déi féierend Positioun an der Industrie.

D'Spark Plasma Sintering (SPCS) Technologie féiert Borkarbidmaterialien vum Laboratoire bis an d'Industrialiséierung. Seng iwwerleeën Leeschtung a punkto Häert, thermescher Stabilitéit an Neutronenabsorptioun bitt disruptiv Léisunge fir d'Verdeedegung, d'Energie an d'Elektronik. Mat technologesche Fortschrëtter a politescher Ënnerstëtzung wäert Borkarbid, dësen "schwaarzen Diamant", ouni Zweiwel a nach méi Uwendungen glänzen an zu engem vun de Schlësselmaterialien ginn, déi den technologesche Fortschrëtt vum Mënsch dreiwen.