ચીનમાં ઇલેક્ટ્રોનિક-ગ્રેડ હેફનિયમ ટેટ્રાક્લોરાઇડનું બજાર કદ અને ઉત્પાદન ક્ષમતા સતત વિસ્તરી રહી છે.
ચાઇના ન્યુ થિંકિંગ ઇન્ડસ્ટ્રી રિસર્ચ સેન્ટર 5 માર્ચ, 2026 ના રોજ પ્રકાશિત થયું
ઇલેક્ટ્રોનિક ગ્રેડ હાફનિયમ ટેટ્રાક્લોરાઇડ એ 99.95% કે તેથી વધુ શુદ્ધતાવાળા ઉચ્ચ-શુદ્ધતાવાળા હાફનિયમ ટેટ્રાક્લોરાઇડનો સંદર્ભ આપે છે.
હેફનિયમ ટેટ્રાક્લોરાઇડ, પરમાણુ સૂત્ર સાથેએચએફસીએલ4અને ૩૨૦.૩૦૨ ના પરમાણુ વજન સાથે, સફેદ સ્ફટિકીય પાવડર છે. તે કાટ લાગતો હોય છે અને આંખો અને ત્વચાને બાળી શકે છે. તે શ્વસનતંત્રને પણ બળતરા કરે છે. તેનું ગલનબિંદુ ૩૨૦°C છે અને તે ઉત્તેજિત થઈ શકે છે. તે મિથેનોલ અને એસીટોન જેવા કાર્બનિક દ્રાવકોમાં સરળતાથી દ્રાવ્ય છે. તે પાણી સાથે પ્રતિક્રિયા આપીને ઝેરી વાયુઓ મુક્ત કરે છે. તે હાઇગ્રોસ્કોપિક છે અને હવાના સંપર્કમાં આવવા પર સરળતાથી વિઘટિત થાય છે અને તેને સીલબંધ કન્ટેનરમાં સંગ્રહિત કરવું આવશ્યક છે.
"2025 ચાઇના ઇલેક્ટ્રોનિક ગ્રેડ હેફનિયમ ટેટ્રાક્લોરાઇડ માર્કેટ સ્પેશિયલ સર્વે અને એન્ટરપ્રાઇઝ '15મી પંચવર્ષીય યોજના' સૂચન રિપોર્ટ" ન્યૂ થિંકિંગ ઇન્ડસ્ટ્રી રિસર્ચ સેન્ટર દ્વારા બહાર પાડવામાં આવેલ, ઇલેક્ટ્રોનિક ગ્રેડ હેફનિયમ ટેટ્રાક્લોરાઇડનો ઉપયોગ મુખ્યત્વે સેમિકન્ડક્ટર ઉદ્યોગમાં સેમિકન્ડક્ટર પુરોગામી સામગ્રી તરીકે થાય છે. તે એટોમિક લેયર ડિપોઝિશન (ALD) અને કેમિકલ વેપર ડિપોઝિશન (CVD) જેવી પ્રક્રિયાઓનો ઉપયોગ કરીને હેફનિયમ-આધારિત પાતળા ફિલ્મો તરીકે જમા થાય છે અને ઉગાડવામાં આવે છે. હેફનિયમ-આધારિત પાતળા ફિલ્મોમાં ઉચ્ચ ડાઇલેક્ટ્રિક સ્થિરાંક હોય છે, જે તેમને આગામી પેઢીના નાના-કદના, ઉચ્ચ-પ્રદર્શન ટ્રાન્ઝિસ્ટરના ગેટ ડાઇલેક્ટ્રિક સ્તરના ઉત્પાદન માટે મુખ્ય સામગ્રીમાંની એક બનાવે છે. ઇલેક્ટ્રોનિક ગ્રેડ હેફનિયમ ટેટ્રાક્લોરાઇડ સતત સંકોચાતી ચિપ ઉત્પાદન પ્રક્રિયાઓના વિકાસ વલણને પૂર્ણ કરી શકે છે, અને તેની બજાર જગ્યા સતત વિસ્તરી રહી છે. વધુમાં, તેના ઉત્તમ ઓપ્ટિકલ ગુણધર્મો, યાંત્રિક ગુણધર્મો અને થર્મલ સ્થિરતાને કારણે, ઇલેક્ટ્રોનિક ગ્રેડ હેફનિયમ ટેટ્રાક્લોરાઇડનો ઉપયોગ ઓપ્ટિકલ પાતળા ફિલ્મો, ઉચ્ચ-પાવર LEDs, નજીકના-ઇન્ફ્રારેડ ઓપ્ટોઇલેક્ટ્રોનિક ઉપકરણો અને અલ્ટ્રા-હાઇ ટેમ્પરેચર સિરામિક્સના ઉત્પાદનમાં પણ થઈ શકે છે.
શુદ્ધિકરણ ટેકનોલોજીની ગુણવત્તા ઇલેક્ટ્રોનિક-ગ્રેડ હાફનિયમ ટેટ્રાક્લોરાઇડની શુદ્ધતા અને ગ્રેડને સીધી અસર કરે છે. તાજેતરના વર્ષોમાં, ચીનમાં ઇલેક્ટ્રોનિક-ગ્રેડ હાફનિયમ ટેટ્રાક્લોરાઇડની શુદ્ધિકરણ પ્રક્રિયા અને ઉત્પાદન સાધનો સંબંધિત પેટન્ટની સંખ્યા વધી રહી છે, જેમાં "ઇલેક્ટ્રોનિક-ગ્રેડ હાફનિયમ ટેટ્રાક્લોરાઇડ તૈયાર કરવા માટેનું ઉપકરણ" અને "ઇલેક્ટ્રોનિક-ગ્રેડ હાફનિયમ ટેટ્રાક્લોરાઇડને શુદ્ધ કરવા માટેની પદ્ધતિ"નો સમાવેશ થાય છે.
મે 2025 માં, "ઇલેક્ટ્રોનિક-ગ્રેડ હાફનિયમ ટેટ્રાક્લોરાઇડ માટે શુદ્ધિકરણ પદ્ધતિ" માટે પેટન્ટ અધિકૃતતાની જાહેરાત કરવામાં આવી હતી. નિષ્ક્રિય ગેસના રક્ષણ હેઠળ, ક્રૂડ હાફનિયમ ટેટ્રાક્લોરાઇડને ક્વાર્ટઝ બોટમાં મૂકવામાં આવે છે, અને વેક્યુમિંગ, હીટિંગ, સબલિમેશન શુદ્ધિકરણ અને ઠંડક સંગ્રહ જેવી પ્રક્રિયાઓ દ્વારા, 5N અને 6N ની શુદ્ધતાવાળા ઇલેક્ટ્રોનિક-ગ્રેડ હાફનિયમ ટેટ્રાક્લોરાઇડ ઉત્પાદનો મેળવી શકાય છે.
ચીની બજારમાં,અર્બનમાઇન્સ ટેક.લિમિટેડ મુખ્યત્વે ≥99.9%, 99.95% અને ≥99.99% ની શુદ્ધતાવાળા ઇલેક્ટ્રોનિક-ગ્રેડ હાફનિયમ ટેટ્રાક્લોરાઇડ ઉત્પાદનોનું સંશોધન, વિકાસ અને સપ્લાય કરે છે.
ચીનની ઇલેક્ટ્રોનિક-ગ્રેડ હાફનિયમ ટેટ્રાક્લોરાઇડ ઉત્પાદન ક્ષમતા, ન્યુથિંકના ઉદ્યોગ વિશ્લેષકો હજુ પણ વિસ્તરી રહ્યા છે. મે 2025 માં, ચીનના રાષ્ટ્રીય પર્યાવરણીય સંરક્ષણ વહીવટીતંત્રે ખુલાસો કર્યો કે "સેમિકન્ડક્ટર ન્યૂ મટિરિયલ્સ પાઇલટ પ્લાન્ટ પ્રોજેક્ટ" માટે પર્યાવરણીય અસર અહેવાલ મંજૂર અને પ્રસિદ્ધ થવાનો હતો, અને ઉદ્યોગમાં કેટલીક અગ્રણી કંપનીઓ પણ ઇલેક્ટ્રોનિક-ગ્રેડ હાફનિયમ ટેટ્રાક્લોરાઇડ બજારમાં સક્રિયપણે વિસ્તરણ કરી રહી છે.